[发明专利]半导体封装结构和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其包括：

第一介电层，其界定至少一个穿孔；

导电元件，其安置于所述穿孔中且包含第一部分和第二部分，其中所述第一部分的第一表面是平面的且与所述第一介电层的第一表面实质上共面，且所述第二部分的第一表面的一部分从所述第一介电层的所述第一表面凹入；

第一电路结构，其安置于所述第一介电层上；

半导体裸片，其电连接到所述第一电路结构；以及

封装体，其覆盖所述半导体裸片。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括覆盖所述第一电路结构的第二介电层，且所述第二介电层至少安置于所述导电元件的所述第二部分上。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电元件的所述第一部分位于所述穿孔的中心处。

4.根据权利要求3所述的半导体封装结构，其中所述第二部分远离所述穿孔的所述中心且邻近于所述穿孔的侧壁，且所述第二部分包含凹入部分，所述凹入部分由所述第二部分的所述第一表面和所述穿孔的所述侧壁界定。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电元件包含多个第二部分和多个第三部分，所述第三部分中的每一者的第一表面与所述第一部分的所述第一表面实质上共面，且所述第二部分和所述第三部分交替地排列于所述第一部分的外围表面上。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一部分远离所述穿孔的中心，所述第二部分邻近于所述穿孔的所述中心，且所述导电元件包含凹入部分，所述凹入部分由所述第二部分的所述第一表面界定。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第二部分的所述第一表面与所述第一介电层的所述第一表面之间形成角度θ，且所述角度θ是0度到15度。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电元件的所述第二部分包含突出部分，所述突出部分从所述第一介电层的所述第一表面突出。

9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中所述第二部分的所述第一表面与所述第一介电层的所述第一表面之间形成角度θ，所述突出部分具有最大厚度d，所述突出部分的邻近于所述穿孔的中心的内部边缘与所述穿孔的侧壁之间界定距离D，其中且d小于5μm。

10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括在所述第一电路结构上方的第二电路结构，且所述第二电路结构电连接到所述第一电路结构。

11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中所述第二电路结构的一部分位于所述导电元件正上方。

12.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述第一电路结构的一部分安置于所述导电元件的所述第二部分上。

13.一种半导体封装结构，其包括：

第一介电层，其界定至少一个穿孔；

导电元件，其安置于所述穿孔中且界定至少一个凹入部分，其中所述导电元件包含第一部分、多个第二部分和多个第三部分，所述第一部分的第一表面与所述第一介电层的第一表面实质上共面，所述多个第二部分中的至少一个第二部分的第一表面的一部分从所述第一介电层的所述第一表面凹入，所述第三部分中的每一者的第一表面与所述第一部分的所述第一表面实质上共面，且所述第二部分和所述第三部分交替地排列于所述第一部分的外围表面上；

第一电路结构，其安置于所述第一介电层和所述导电元件上，其中所述第一电路结构包含第一部分，所述第一部分与所述导电元件的所述凹入部分共形；

半导体裸片，其电连接到所述第一电路结构；以及

封装体，其覆盖所述半导体裸片。