[发明专利]通过热ALD和PEALD沉积氧化物膜的方法

权利要求书

1.一种用于通过热ALD和PEALD将氧化物膜沉积于衬底上的方法，其包含：

在反应室中提供衬底；

通过热ALD在所述反应室中将第一氧化物膜沉积于所述衬底上；和

在不中断真空的情况下，通过PEALD在所述反应室中将第二氧化物膜连续沉积于所述第一氧化物膜上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述热ALD的循环包含将前体馈送到所述反应室，所述前体是至少一种选自由以下组成的群组的化合物的气体：异氰酸酯硅烷、无机硅烷和含硅烷醇盐。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述热ALD的循环包含将反应物馈送到所述反应室，所述反应物是至少一种选自由以下组成的群组的气体：H₂O、醚、醇、H₂与O₂的混合物和H₂O₂。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述热ALD的循环包含通过将反应物引入到所述反应室内部所提供的喷头的上游的歧管管道，通过在所述喷头处引入所述反应物，和/或通过将所述反应物引入所述喷头与上面放置所述衬底的基座之间，来将所述反应物馈送到所述反应室。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述PEALD的循环包含使用连续流动到所述反应室的运载气体以脉冲形式馈送前体，和将反应物连续馈送到所述反应室。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述反应物是至少一种选自由以下组成的群组的气体：O₂、CO₂和N₂O。

7.根据权利要求1所述的方法，其进一步包含在通过所述热ALD和所述PEALD进行所述沉积后清洗所述反应室。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述清洗使用清洗气体通过将所述清洗气体馈送在混合前体和反应物的位置的上游来进行。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述清洗气体通过所述反应室的上游的远程等离子体单元来激发或使用含氟气体原位激发。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述热ALD的循环包含将反应物馈送到所述反应室，所述反应物是连续通过所述循环的至少一种选自由以下组成的群组的气体：乙醇、H₂O和O₃。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述热ALD的循环包含将催化气体以脉冲形式馈送到所述反应室，所述催化气体是除前体和反应物以外的并且在所述循环中能够促进所述氧化物膜沉积的气体。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述催化气体是至少一种选自由以下组成的群组的化合物的气体：吡啶、烷基金属、吡啶基硅烷和硅氮烷。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一氧化物膜具有1到7nm的厚度，并且所述第二氧化物膜具有5到30nm的厚度，其中所述第二氧化物膜比所述第一氧化物膜更厚。

14.根据权利要求1所述的方法，其中在上面沉积有所述第一氧化物膜的所述衬底的表面由非晶碳构成。

15.根据权利要求1所述的方法，其中在上面沉积有所述第一氧化物膜的所述衬底的表面由硅构成。

16.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底具有图案化凹槽，并且所述第一氧化物膜和所述第二氧化物膜沉积于所述凹槽上。

17.根据权利要求2所述的方法，其中所述无机硅烷是氨基硅烷、硅烷胺或含硅烷氢氧化物。