[发明专利]一种红外探测器晶圆封装方法

权利要求书

1.一种红外探测器晶圆封装方法，其特征在于，红外探测器在封装过程中，将探测器芯片与管壳封装时，在探测器芯片基底的背面做金属层化，芯片基底切割成小的芯片颗粒，采用等离子体清洗方式处理探测器芯片颗粒的金属化基底以及封装管壳的封装基板面，在一定温度条件下实现芯片与管壳的黏合；

其中，在探测器芯片基底的背面做金属层化的工艺包括以下步骤：

s1，在晶圆芯片的正面贴保护膜；

s2，在晶圆芯片的背面进行研磨、减薄；

s3，湿法去掉背面经研磨、减薄产生的表面暗伤层；

s4，去除晶圆芯片的正面的保护膜；

s5，沉积金属层实现晶圆芯片基底金属化；

s6，芯片基底切割成若干个芯片颗粒；

s7，等离子体清洗芯片颗粒基底以及封装管壳基板；

s8，将芯片颗粒按照一定的位置对准后放入到封装管壳进行组装，再水平放入到封装设备中；

s9，将封装设备加热到一定温度，使得金属层表面融化，从而实现芯片与管壳的黏合。

2.根据权利要求1所述的红外探测器晶圆封装方法，其特征在于，所述保护膜为UV膜。

3.根据权利要求1所述的红外探测器晶圆封装方法，其特征在于，所述沉积金属层的方式为蒸镀、电镀、溅射中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的红外探测器晶圆封装方法，其特征在于，所述沉积金属层的金属材料为Ti/Au、Ti/Ni/Au、Ti/Al/Ni/Au、Ti/Pt/Au、Cr/Au、Cr/Ni/Au、Ti/Ni/Ag、Cu中的任意一种。

5.根据权利要求1所述的红外探测器晶圆封装方法，其特征在于，所述s3中，通过湿法的方式去掉表面暗伤层时，还包括腐蚀处理背面，以消除其内部应力，并且增大所述背面的表面粗糙度。

6.根据权利要求1所述的红外探测器晶圆封装方法，其特征在于，所述s7中，对探测器芯片颗粒基底以及封装管壳基板进行等离子体清洗，以活化金属层表面。

7.根据权利要求1所述的红外探测器晶圆封装方法，其特征在于，所述的s9中，封装设备加热温度范围为25℃~300℃。