[发明专利]晶片研磨系统

权利要求书

1.一种晶片研磨系统，形成有透光性材质的研磨层，其特征在于，包括：

研磨头，具备包括第一压力腔和第二压力腔的多个压力腔，通过调节所述压力腔的压力，在研磨工序中将位于下侧的所述晶片加压于研磨垫；

光照射部，用于向所述晶片的研磨层照射光；

光接收部，用于接收从所述研磨层反射的光干涉信号，且接收从所述第一压力腔下侧的第一基准位置反射的第一光干涉信号、从所述第二压力腔下侧的第二基准位置反射的第二光干涉信号、从所述第一基准位置与所述第二基准位置之间的一个以上的连接位置反射的连接光干涉信号；

压力调节部，在所述研磨工序中消除第一基准位置和第二基准位置的所述研磨层的厚度偏差时，不是根据在所述研磨工序中从所述光接收部接收的所述光干涉信号求出所述研磨层厚度，而是调节所述第一压力腔和所述第二压力腔的压力，以便减小所述光接收部从所述第一基准位置和所述第二基准位置接收的第一光干涉信号与所述第二光干涉信号的相位差。

2.根据权利要求1所述的晶片研磨系统，其特征在于，

所述连接位置为一个；

通过合算所述第一光干涉信号与所述连接光干涉信号的第一相位差、所述连接光干涉信号与所述第二光干涉信号的第二相位差的相位差，获得所述第一光干涉信号与所述第二光干涉信号的相位差。

3.根据权利要求1所述的晶片研磨系统，其特征在于，

所述连接位置为两个以上，包括位于所述第一基准位置与所述第二基准位置之间的与所述第一基准位置最近的第一连接位置以及与所述第二基准位置最近的第二连接位置；

所述连接光干涉信号为多个，包括在所述第一连接位置获得的第一连接光干涉信号以及在所述第二连接位置获得的第二连接光干涉信号。

4.根据权利要求3所述的晶片研磨系统，其特征在于，

通过合算所述第一光干涉信号与所述第一连接光干涉信号的第一相位差、所述第二连接光干涉信号与所述第二光干涉信号的第二相位差、所述第一连接光干涉信号与所述第二连接光干涉信号的连接相位差的相位差，获得所述第一光干涉信号与所述第二光干涉信号的相位差。

5.根据权利要求4所述的晶片研磨系统，其特征在于，

所述连接位置为三个以上，

通过合算在邻接的多个连接位置获得的多个连接光干涉信号间的相位差的值，获得所述连接相位差。

6.根据权利要求1所述的晶片研磨系统，其特征在于，

所述研磨层为氧化物层。

7.根据权利要求1所述的晶片研磨系统，其特征在于，

所述接收光的步骤是在所有所述压力腔的下侧，分别接收至少一个位置上的光干涉信号。

8.根据权利要求1所述的晶片研磨系统，其特征在于，

所述第一压力腔与所述第二压力腔隔着隔壁邻接配置。

9.根据权利要求1所述的晶片研磨系统，其特征在于，

所述研磨头以同心圆状配置有多个压力腔。

10.根据权利要求9所述的晶片研磨系统，其特征在于，

所述连接位置位于从所述晶片的旋转中心隔开规定距离处，所述规定距离处于从所述晶片的旋转中心至所述第一基准位置的第一距离和从所述晶片的旋转中心至所述第二基准位置的第二距离之间。

11.根据权利要求9所述的晶片研磨系统，其特征在于，

所述连接位置位于连接所述第一基准位置与所述第二基准位置的连接直线上。

12.根据权利要求10所述的晶片研磨系统，其特征在于，

所述第一基准位置位于所述第一压力腔的中央部，所述第二基准位置位于所述第二压力腔的中央部，所述连接位置位于从设置于所述第一压力腔与所述第二压力腔之间的隔壁起隔开10mm以内的区域。