[发明专利]光掩模在审

申请号：	201810118123.3	申请日：	2018-02-06
公开（公告）号：	CN109212894A	公开（公告）日：	2019-01-15
发明（设计）人：	王祥保;章勋明	申请（专利权）人：	台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号：	G03F1/62	分类号：	G03F1/62
代理公司：	隆天知识产权代理有限公司 72003	代理人：	冯志云;张福根
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	吸收层盖层抗反射层反射膜堆叠基板第二导电层第一导电层光掩模低热膨胀材料第一区开口
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【说明书】：

在一实施例中，光掩模包括：基板，位于第一导电层上，且基板的组成为低热膨胀材料；第二导电层，位于第一导电层上；反射膜堆叠，位于基板上；盖层，位于反射膜堆叠上；吸收层，位于盖层上；以及抗反射层，位于吸收层上，其中抗反射层与吸收层具有多个开口于第一区中以露出盖层，其中抗反射层、吸收层、盖层、与反射膜堆叠具有沟槽于第二区中以露出第二导电层。

技术领域

本公开实施例涉及光刻工艺，更特别涉及光掩模与其形成方法。

背景技术

半导体集成电路(IC)产业已经历快速成长。IC材料与设计的技术进步，使每一代的IC比前一代的IC更小且电路更复杂。新一代的IC具有较大的功能密度(比如固定芯片面积中的内连线元件数目)，与较小的尺寸(比如工艺形成的最小构件或连线)。

工艺尺寸缩小往往有利于增加工艺效率并降低相关成本。工艺尺寸缩小亦会增加工艺复杂度。为了实现工艺尺寸缩小，IC工艺亦需有类似发展。举例来说，对高分辨率的光刻工艺的需求成长。一些下世代光刻技术可包含极紫外线光刻、深紫外线光刻、X光光刻、软X光光刻、离子束投影光刻、电子束投影光刻、或类似光刻技术。

发明内容

本公开一实施例提供的光掩模，包括：基板，位于第一导电层上，且基板的组成为低热膨胀材料；第二导电层，位于第一导电层上；反射膜堆叠，位于基板上；盖层，位于反射膜堆叠上；吸收层，位于盖层上；以及抗反射层，位于吸收层上，其中抗反射层与吸收层具有多个开口于第一区中以露出盖层，其中抗反射层、吸收层、盖层、与反射膜堆叠具有沟槽于第二区中以露出第二导电层。

附图说明

图1是一些实施例中，光刻系统的方块图。

图2、图3、图4、图5、与图6是一些实施例中，光掩模工艺的中间步骤。

图7A与图7B是一些实施例中，光刻系统所用的光掩模。

图8是一些实施例中，在光刻系统中曝光时的目标。

图9是一些其他实施例中的光掩模。

图10是一些其他实施例中的光掩模。

图11是一些其他实施例中的光掩模。

图12是一些其他实施例中的光掩模。

图13是一些实施例中，工艺系统的方块图。

附图标记说明：

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