[发明专利]包括标准单元的集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

多个标准单元，其中所述多个标准单元中的至少一个标准单元包括：

电源轨，配置为向所述至少一个标准单元供应电力，所述电源轨在第一方向上延伸；

包括至少一个晶体管的单元区域，所述至少一个晶体管配置为确定所述至少一个标准单元的功能；

第一虚设区域和第二虚设区域，分别与所述单元区域的在所述第一方向上的两侧相邻；以及

有源区域，跨所述单元区域、所述第一虚设区域和所述第二虚设区域地在所述第一方向上延伸，

其中所述有源区域的一区域电连接到所述电源轨，所述有源区域的所述一区域被包括在所述第一虚设区域和所述第二虚设区域中的至少一个中。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述电源轨包括分别被施加具有不同电平的电压的第一电源轨和第二电源轨，

其中所述有源区域包括第一有源区域和第二有源区域，所述第一有源区域和所述第二有源区域在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开并在所述第一方向上彼此平行地延伸，

其中提供在所述第一虚设区域的所述第一有源区域电连接到所述第一电源轨，以及

其中提供在所述第一虚设区域的所述第二有源区域电连接到所述第二电源轨。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述第一虚设区域包括在所述第二方向上延伸并被浮置的栅线。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第二虚设区域包括电连接到所述电源轨的栅线。

5.根据权利要求4所述的集成电路，其中所述第二虚设区域包括金属线，所述金属线提供在金属层中并在垂直于所述第一方向的第二方向上从所述电源轨延伸，并且

其中包括在所述第二虚设区域中的所述栅线通过所述金属线电连接到所述电源轨。

6.根据权利要求4所述的集成电路，其中包括在所述第二虚设区域中的所述栅线通过与所述第二虚设区域的所述有源区域接触的接触而电连接到所述电源轨。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述至少一个标准单元还包括第一边界区域和第二边界区域，所述第一边界区域和所述第二边界区域分别与所述第一虚设区域和所述第二虚设区域相邻并且分别与所述第一虚设区域和所述第二虚设区域相比更远离所述单元区域设置，并且

其中所述有源区域与所述第一边界区域和所述第二边界区域分隔。

8.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述第一边界区域和所述第二边界区域中的每个包括双扩散中断，以及

其中所述单元区域包括串联连接的多个p型场效应晶体管。

9.根据权利要求7所述的集成电路，其中所述第一边界区域或所述第二边界区域包括单扩散中断，以及

所述单元区域包括串联连接的多个n型FET。

10.一种集成电路，包括：

多个标准单元，其中所述多个标准单元中的至少一个标准单元包括：

包括至少一个晶体管的单元区域，所述至少一个晶体管配置为确定所述至少一个标准单元的功能；

第一虚设区域和第二虚设区域，分别与所述单元区域的在第一方向上的两侧相邻；以及

有源区域，跨所述单元区域、所述第一虚设区域和所述第二虚设区域在所述第一方向上延伸，

其中所述有源区域包括第一有源区域和第二有源区域，所述第一有源区域和所述第二有源区域在垂直于所述第一方向的第二方向上彼此间隔开并在所述第一方向上彼此平行地延伸，

其中提供在所述第一虚设区域中的所述第一有源区域和所述第二有源区域中的至少一个被偏置，以及

其中提供在所述第二虚设区域中的所述第一有源区域和所述第二有源区域中的至少一个被偏置。