[发明专利]混频器及无线通信装置有效
申请号: | 201810118971.4 | 申请日: | 2018-02-06 |
公开(公告)号: | CN110120786B | 公开(公告)日: | 2023-06-30 |
发明(设计)人: | 孙浩 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H03D7/16 | 分类号: | H03D7/16 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 300385 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 混频器 无线通信 装置 | ||
1.一种混频器,其特征在于,包括输入级处理电路、电源隔离电路和混频核心电路,其中,所述电源隔离电路连接一电源并连接所述输入级处理电路和所述混频核心电路的连接节点,用于将所述电源和所述混频核心电路隔离;所述输入级处理电路分别连接所述电源、电源隔离电路和混频核心电路,用于接收外来的输入信号,并在所述电源和所述电源隔离电路的共同作用下将所述输入信号转换偏置信号,以提供给所述混频核心电路;所述混频核心电路用于接收外来的两种时钟信号,将所述偏置信号与所述两种时钟信号进行混频输出;
其中,所述输入信号包括极性相反的正输入差分信号和负输入差分信号;所述输入级处理电路包括第一至第四N型开关管、第一电感以及第一至第二可变电容器,每个所述的N型开关管具有第一端、第二端和控制端,所述第一电感具有第一端、第二端以及位于所述第一端、第二端之间的第三端,第一N型开关管的第一端分别连接第一可变电容器的一端和所述第一电感的第一端,所述第一N型开关管的第二端连接第三N型开关管的第一端,所述第一N型开关管的控制端连接所述第一可变电容器的另一端以及接入所述负输入差分信号;第二N型开关管的第一端分别连接第二可变电容器的一端和所述第一电感的第二端,所述第二N型开关管的第二端连接第四N型开关管的第一端,所述第二N型开关管的控制端连接所述第二可变电容器的另一端以及接入所述正输入差分信号,所述第一电感的第三端接地,所述第三N型开关管的控制端和所述第四N型开关管的控制端均连接所述电源,所述第三N型开关管的第二端和所述第四N型开关管的第二端分别为所述输入级处理电路的两个偏置信号输出端,分别连接所述电源隔离电路和所述混频核心电路;
所述电源隔离电路包括并联的第二电感和第一固定电容器,所述第二电感具有第一端、第二端以及位于所述第一端、第二端之间的第三端,所述第二电感的第三端连接所述电源,所述第二电感的第一端和第二端分别和第一固定电容器的两端连接,组成LC谐振回路,所述第二电感的第一端和第二端还分别连接到所述输入级处理电路的两个偏置信号输出端。
2.如权利要求1所述的混频器,其特征在于,所述N型开关管为NMOS晶体管或者NPN三极管,当所述N型开关管为NMOS晶体管时,NMOS晶体管的栅极为所述N型开关管的控制端,NMOS晶体管的源极为所述N型开关管的第一端,NMOS晶体管的漏极为所述N型开关管的第二端;当所述N型开关管为NPN三极管时,NPN三极管的基极为所述N型开关管的控制端,NPN三极管的发射极为所述N型开关管的第一端,NPN三极管的集电极为所述N型开关管的第二端。
3.如权利要求1所述的混频器,其特征在于,所述输入级处理电路具有用于输出所述偏置信号的两个偏置信号输出端,所述两种时钟信号包括极性相反的第一时钟信号和第二时钟信号;所述混频核心电路包括第一至第四P型开关管,每个P型开关管包括第一端、第二端和控制端,其中,第一P型开关管的第一端和第二P型开关管的第一端均连接到所述输入级处理电路的一个偏置信号输出端,第三P型开关管的第一端和第四P型开关管的第一端均连接到所述输入级处理电路的另一个偏置信号输出端,所述第一至第四P型开关管的第二端分别作为所述混频核心电路的四个信号输出端,所述第一P型开关管的控制端和第四P型开关管的控制端均接入所述第一时钟信号,所述第二P型开关管的控制端和第三P型开关管的控制端均接入所述第二时钟信号。
4.如权利要求3所述的混频器,其特征在于,所述第一时钟信号和第二时钟信号为差分信号,极性相反,振幅相同,所述第一时钟信号和第二时钟信号均在所述电源电压和所述电源电压的一半之间振动。
5.如权利要求3所述的混频器,其特征在于,所述P型开关管为PMOS晶体管或者PNP三极管,当所述P型开关管为PMOS晶体管时,PMOS晶体管的栅极为所述P型开关管的控制端,PMOS晶体管的源极为所述P型开关管的第一端,PMOS晶体管的漏极为所述P型开关管的第二端;当所述P型开关管为PNP三极管时,PNP三极管的基极为所述P型开关管的控制端,PNP三极管的发射极为所述P型开关管的第一端,PNP三极管的集电极为所述P型开关管的第二端。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(天津)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810118971.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种低功耗混频器
- 下一篇:MEMS设备前端电荷放大器及相关方法