[发明专利]一种在二维过渡金属碲化物上制备金纳米粒子的方法在审
| 申请号： | 201810119514.7 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN110117771A | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 刘晶;张荣杰 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C23C14/18 | 分类号： | C23C14/18;C23C14/30;C23C14/58;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金纳米粒子 制备 过渡金属碲化物 电子束 光学和电学性质 退火 样品均匀性 二维材料 高温退火 纳米级别 气相沉积 耦合力 二维 可控 沉积 参考 研究 | ||
1.一种在二维过渡金属碲化物上制备金纳米粒子的方法，其特征在于，一种在二维过渡金属碲化物(MTe2)上制备金纳米粒子的方法，包括以下步骤：
步骤1,将纳米级厚度的过渡金属碲化物薄片转移到基片上；
步骤2，在过渡金属碲化物薄片上沉积金薄膜；
步骤3，将步骤1所得的样品进行退火处理：自室温20℃～30℃，以5～15℃/s的速度升温至300℃～400℃，保温20～40min后，自然冷却。
2.如权利要求1所述的一种在二维过渡金属碲化物上制备金纳米粒子的方法，其特征在于，所述所述步骤1中的过渡金属碲化物为WTe2或MoTe2。
3.如权利要求1所述的一种在二维过渡金属碲化物上制备金纳米粒子的方法，其特征在于，所述步骤1中的基片为硅或二氧化硅基片。
4.如权利要求1所述的一种在二维过渡金属碲化物上制备金纳米粒子的方法，其特征在于，所述步骤1中的过渡金属碲化物薄片是通过干法转移负载到基片上的。
5.如权利要求1所述的一种在二维过渡金属碲化物上制备金纳米粒子的方法，其特征在于，所述步骤2中的金薄膜是通过电子束蒸发的方式沉积在过渡金属碲化物薄片上。
6.如权利要求5所述的一种在二维过渡金属碲化物上制备金纳米粒子的方法，其特征在于，所述电子束蒸发的具体步骤为，在金属蒸发仪器中利用电子束轰击99.999％纯度的金使其达到融化温度，并在真空度为10-4～10-5环境中蒸发金，使其在过渡金属碲化物薄片上均匀沉积金薄膜，薄膜沉积速度为在
7.如权利要求1所述的一种在二维过渡金属碲化物上制备金纳米粒子的方法，其特征在于，所述步骤1中过渡金属碲化物薄片的面积为100-500平方微米，所述基底的面积为3-5平方厘米。
8.如权利要求1所述的一种在二维过渡金属碲化物上制备金纳米粒子的方法，其特征在于，所述步骤1中过渡金属碲化物薄片的厚度为10-50nm。
9.如权利要求1所述的一种在二维过渡金属碲化物上制备金纳米粒子的方法，其特征在于，所述步骤2中金薄膜的厚度为3-7nm。
10.利用如权利要求1所述的一种在二维过渡金属碲化物上制备金纳米粒子的方法制备得到的电器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810119514.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
