[发明专利]声学设备及其晶圆级封装方法在审
| 申请号： | 201810119988.1 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108313974A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 陈高鹏;刘海玲;陈威 | 申请（专利权）人： | 宜确半导体（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C3/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘剑波 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 声学器件 声学设备 基底 管脚焊盘 晶圆级封装 第一表面 晶圆 半导体领域 第二表面 封装设备 密闭腔室 直接键合 和声学 封装 制作 | ||
1.一种声学设备，包括基底和声学器件，其中：
所述声学器件与所述基底的第一表面结合，以便在所述声学器件与所述基底的第一表面之间形成密闭腔室；
所述基底的远离所述声学器件的第二表面设有声学设备的管脚焊盘，所述声学设备的管脚焊盘与所述声学器件的管脚焊盘连接。
2.根据权利要求1所述的声学设备，其中：
所述声学设备的管脚焊盘通过金属走线与所述声学器件的管脚焊盘连接。
3.根据权利要求2所述的声学设备，其中：
所述金属走线的材料为金、银、铜、铁、铝、镍、钯或锡。
4.根据权利要求2所述的声学设备，其中：
所述金属走线沿着设置在所述基底上对应的通孔延伸。
5.根据权利要求1所述的声学设备，其中：
所述声学设备的管脚焊盘为铝凸柱、铜凸柱或锡球。
6.根据权利要求1所述的声学设备，其中：
所述声学器件通过胶粘方式与所述基底的第一表面结合。
7.根据权利要求1所述的声学设备，其中：
所述声学器件的管脚焊盘位于所述声学器件的靠近所述基底的表面上。
8.根据权利要求1所述的声学设备，其中：
所述密闭腔室的高度大于预定门限。
9.根据权利要求1所述的声学设备，其中：
所述声学器件包括声表面波SAW滤波器、体声波BAW滤波器或薄膜体声波FBAR滤波器，或者包括声表面波SAW双工器、体声波BAW双工器或薄膜体声波FBAR双工器，或者包括采用SAW、BAW或FBAR技术制造的器件。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的声学设备，还包括基板，其中：
所述基底设置在所述基板上。
11.根据权利要求10所述的声学设备，还包括设置在所述基板上的与所述声学器件异质的电子器件，其中：
电子器件的管脚焊盘与所述声学设备对应的管脚焊盘连接。
12.根据权利要求11所述的声学设备，其中：
电子器件的管脚焊盘通过重布线层RDL，与所述声学设备对应的管脚焊盘连接。
13.根据权利要求11所述的声学设备，其中：
所述电子器件包括基于GaAs HBT工艺、GaAs pHEMT工艺或GaN工艺的射频功率放大器，基于GaAs pHEMT工艺的低噪声放大器，基于GaAs pHEMT工艺的开关，基于IPD工艺的滤波器中的至少一个。
14.根据权利要求11所述的声学设备，其中：
所述电子器件包括射频功率放大器的驱动级电路、开关电路、电源跟踪电路、包络跟踪电路、直流-直流转换电路、模数转换电路、数模转换电路中的至少一个。
15.一种声学设备的晶圆级封装方法，包括：
将声学器件与基底的第一表面结合，以便在所述声学器件与所述基底的第一表面之间形成密闭腔室；
将所述声学设备的管脚焊盘与所述声学器件的管脚焊盘连接，其中所述声学设备的管脚焊盘设置在所述基底的远离所述声学器件的第二表面。
16.根据权利要求15所述的方法，其中：
通过金属走线将所述声学设备的管脚焊盘与所述声学器件的管脚焊盘连接。
17.根据权利要求16所述的方法，其中：
所述金属走线沿着设置在所述基底上对应的通孔延伸。
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