[发明专利]一种高压电极以及应用该高压电极的多晶硅破碎装置

权利要求书

1.一种高压电极，包括有高压电极本体，其特征在于：高压电极本体安装于导流罩中，高压电极本体的高压电极接头从导流罩顶端伸出；导流罩采用绝缘材料制成，其内部具有用于安装高压电极本体的电极安装槽，而导流罩的侧壁中设有用于导出局部高浓度金属液体的导流通道，导流通道贯通导流罩的侧壁上下端；导流罩通过导流通道将高压电极本体溶解产生的局部高浓度金属液体及时排出，以避免高压电极本体溶解产生的金属杂质对多晶硅的污染。

2.根据权利要求1所述的高压电极，其特征在于：高压电极本体采用金属或合金制成；导流罩采用陶瓷材料制成。

3.根据权利要求2所述的高压电极，其特征在于：高压电极本体采用金属铁制成，而导流罩采用氧化铝、氮化硅或碳化硅制成。

4.一种应用权利要求3所述的高压电极的多晶硅破碎装置，其特征在于：包括有破碎水槽、多晶硅棒支撑架、接地电极、高压电极、电源、导流管线和超纯水补充管线，破碎水槽中填充有超纯水，高压电极浸入在超纯水中，多晶硅棒放置在多晶硅棒支撑架上，接地电极安装在破碎水槽底部，并通过接地线路连接电源；高压电极通过高压电极接头连接高压线路，高压线路连接电源；高压电极的导流罩连接有导流管线，导流管线连通导流通道，通过导流通道及导流管线将局部高浓度金属液体导出破碎水槽外；破碎水槽设置有超纯水补充管线，通过超纯水补充管线向破碎水槽内补充超纯水。

5.根据权利要求4所述的多晶硅破碎装置，其特征在于：所述破碎水槽采用金属或合金制成；在破碎水槽的内壁衬有绝缘材料。

6.根据权利要求5所述的多晶硅破碎装置，其特征在于：所述破碎水槽采用304不锈钢制成；而破碎水槽内壁的绝缘材料为氮化硅。

7.根据权利要求4所述的多晶硅破碎装置，其特征在于：所述电源采用脉冲电源，且为正负脉冲电源，其输出频率为1Hz-50KHz，正脉冲电压为10-1000KV，负脉冲电压为1-5KV，脉冲宽度为1-1000μS。

8.根据权利要求4所述的多晶硅破碎装置，其特征在于：所述多晶硅棒支撑架包括支撑杆和夹爪，夹爪固定于支撑杆的顶端，支撑杆固定于接地电极上，夹爪为与多晶硅棒相配的弧形结构，其宽度为20-50mm；支撑杆和夹爪采用绝缘材料制成；高压电极与多晶硅棒的距离≥50mm，且高压电极以间距可调的间隔结构安装在破碎水槽内。

9.根据权利要求8所述的多晶硅破碎装置，其特征在于：所述支撑杆采用陶瓷材料制成，陶瓷材料包括氧化铝或氮化硅；所述夹爪采用聚四氟乙烯材料制成。

10.根据权利要求4所述的多晶硅破碎装置，其特征在于：所述接地电极采用金属铁制成，其为面板式结构；高压电极与接地电极的距离为20-300mm。