[发明专利]一种高压器件控制电路的负电源产生电路

权利要求书

1.一种高压器件控制电路的负电源产生电路，包括高压控制单元、输入电压VIN和GND，所述高压控制单元包括高压控制开关MP5，其特征在于：还包括与高压控制开关MP5连接的低压控制开关MN4和与低压控制开关MN4连接用于检测输入电压VIN的电压检测电路；

所述低压控制开关MN4与电压检测电路和高压控制单元的连接如下：低压控制开关MN4的源极连接GND，其漏极连接高压控制开关MP5源极，高压控制开关MP5漏极连接GND，高压控制开关MP5栅极为高压输出VBIAS，低压控制开关MN4栅极为低压输出VY；

所述高压控制单元还包括PMOS控制电路、NMOS控制电路、电阻R1、PMOS管和NMOS管。

2.根据权利要求1所述的一种高压器件控制电路的负电源产生电路，其特征在于：所述电压检测电路包括电流比较单元和与电流比较单元连接的电流镜像单元。

3.根据权利要求2所述的一种高压器件控制电路的负电源产生电路，其特征在于：所述电流比较单元包括电流源U2，电流镜像单元包括MOS管MP1、MP2、MP3、MP4、MN2、MN3和MN1，具体电路连接如下：MOS管MP1和MP4的源极均连接输入电压VIN，MOS管MP1栅极连接其漏极后连接MOS管MP2源极，MOS管MP2栅极连接其漏极后连接MOS管MP3源极，MOS管MP3栅极连接其漏极后连接MOS管MN1漏极，MOS管MN1栅极连接电流源VBN1，MOS管MN1源极连接GND，MOS管MP4的栅极连接MOS管MP1栅极，MOS管MP4的漏极连接MOS管MN2漏极，MOS管MN2漏极与其栅极连接，MOS管MN2源极连接GND，MOS管MN2栅极与MOS管MN3栅极连接，MOS管MN3源极连接GND，MOS管MN3漏极连接电流源U2一端，电流源U2另一端连接输入电压VIN，MOS管MN3漏极还连接低压控制开关MN4栅极。

4.根据权利要求1所述的一种高压器件控制电路的负电源产生电路，其特征在于：所述高压控制单元的电路连接如下：输入电压VIN连接电阻R1后连接高压控制开关MP5源极，输入电压VIN还连接PMOS控制电路的Vin端，PMOS控制电路GND端连接高压控制开关MP5源极，PMOS管源极连接输入电压VIN，其栅极连接PMOS控制电路控制端，其漏极连接NMOS管漏极，NMOS管栅极连接NMOS控制电路控制端，NMOS管源极连接GND，NMOS控制电路VDD端连接VDD，其GND端连接GND。