[发明专利]一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法有效
| 申请号： | 201810121564.9 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN110120443B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 李晓明;单立英;任忠祥;徐现刚;肖成峰 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/38 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 极性 algainp led 芯片 制备 方法 | ||
1.一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，包括：
(1)在反极性AlGaInP四元LED外延片的P面上依次制备P面欧姆接触层、电流阻挡层；所述反极性AlGaInP四元LED外延片由下自上依次包括GaAs衬底、阻挡层、不透光外延层、N型AlGaInP层、反极性四元LED外延层；
(2)将步骤(1)生成的外延片键合到单晶导电Si衬底或蓝宝石衬底；
(3)去除所述GaAs衬底、所述阻挡层，在所述不透光外延层上制备N面欧姆接触电极图形，所述N面欧姆接触电极图形包括规则分布且依次通过线状电极图形连接的若干小单元；其中的4个小单元位于同心圆中任意两条垂直的直径与该同心圆的四个交点上，所述同心圆是外延片的同心圆；所述同心圆的直径为1/2外延片的直径；
(4)去除所述4个小单元与周围小单元连接的线状电极图形；
(5)使用时，对所述4个小单元进行点测，通过点测数据对标客户需求，根据客户需求组合若干个小单元，根据组合需要去除不需要保留的小单元之间的线状电极图形，制得反极性AlGaInP四元LED芯片。
2.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述线状电极图形的宽度为8-15μm。
3.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述线状电极图形的宽度为8μm。
4.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，相邻两个所述小单元中心之间的间距为80-150μm。
5.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，相邻两个所述小单元中心之间的间距为100μm。
6.根据权利要求1所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)，包括：
a、在步骤(3)制得的N面欧姆接触电极图形上，通过光刻完成粗化、腐蚀切割槽；
b、通过光刻、金属腐蚀方法去除所述4个小单元与周围小单元连接的线状电极图形。
7.根据权利要求6所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述切割槽的宽度为8-15μm。
8.根据权利要求1-7任一所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)，在所述不透光外延层上制备N面欧姆接触电极图形，包括：
A、通过电子束蒸镀方式，在所述不透光外延层上蒸镀一层厚度为1-1.8μm的GeAu膜；
B、在所述GeAu膜表面涂正性光刻胶；
C、在所述正性光刻胶表面通过光刻制得N面欧姆接触电极图形；
D、去除正性光刻胶，即得。
9.根据权利要求8所述的一种反极性AlGaInP四元LED芯片的制备方法，其特征在于，所述步骤B，在所述GeAu膜表面涂厚度为2-3.6μm的正性光刻胶。
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