[发明专利]净化空气用半导体复合催化剂及其制备方法在审
| 申请号： | 201810121631.7 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108435258A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 谢贤宁;张顺中;林群 | 申请（专利权）人： | 苏州容电环境科技有限公司 |
| 主分类号： | B01J31/28 | 分类号： | B01J31/28;B01J31/32;B01J37/14;B01J37/00;B01J37/02;B01D53/86;B01D53/72;B01D53/52;B01D53/58;C09D1/00 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 蒋慧妮 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合催化剂 半导体氧化物 活化处理 净化空气 半导体 挥发物 硫化氢 氨气 空气净化材料 还原性气体 气态污染物 氧化性气体 常温常压 臭氧催化 催化分解 催化过程 富氧气氛 恢复疲劳 贫氧气氛 新鲜空气 研磨 除甲醛 二甲苯 普适性 吸附力 重量比 甲苯 活化 制备 氧气 疲劳 转化 | ||
1.净化空气用半导体复合催化剂，其特征在于：所述催化剂含有经富氧气氛升温活化处理的p-型半导体氧化物、经贫氧气氛升温活化处理的n-型半导体氧化物，且所述p-型半导体氧化物、n-型半导体氧化物重量比为0.1:1.0 ～1.0:1.0。
2.如权利要求1所述的净化空气用半导体复合催化剂，其特征在于：所述p-型半导体氧化物包括但不局限于为NiO、Cu2O、CoO、FeO、Cr2O3中的一种或一种以上组合物。
3.如权利要求2所述的净化空气用半导体复合催化剂，其特征在于：所述n-型半导体氧化物包括但不局限于为ZnO、TiO2、MnO2、Fe2O3、CuO、CdO、Al2O3、SnO、V2O5中的一种或一种以上组合物。
4.如权利要求3所述的净化空气用半导体复合催化剂的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
S1将p-型半导体氧化物在富氧气氛进行升温活化处理，对n-型半导体氧化物在贫氧气氛进行升温活化处理；
S2、将S1中经活化后的原料按比例混合，再次进行研磨活化1.0～6.0小时后，得到细度为500～1200目的半导体氧化物催化剂粉料。
5.如权利要求3所述的净化空气用半导体复合催化剂的制备方法，其特征在于：所述催化剂的制备还包括如下步骤，
S3、将S2中的催化剂粉料分散在含有质量百分比为0.1%～5.0% Na2O·nSiO2，其中n=1～2的水溶液中，配置成水性浆料或涂料。
6.如权利要求1所述的净化空气用半导体复合催化剂的制备方法，其特征在于：所述S1包括如下步骤：
S11、在富氧气氛条件下，将p-型半导体氧化物升温至200–500oC进行恒温热处理，恒温时间为3～10小时；
S12、在贫氧气氛条件下，将n-型半导体氧化物升温至230–550oC进行恒温热处理，恒温时间为4～10小时。
7.如权利要求6所述的净化空气用半导体复合催化剂的制备方法，其特征在于：所述S11中富氧气氛条件是指氧气的体积百分比为50%～80%，所述S12中贫氧气氛条件是指氧气的体积百分比不高于9%。
8.如权利要求4所述的净化空气用半导体复合催化剂的制备方法，其特征在于：所述S2研磨时需加入离子导电型聚苯乙烯磺酸钠粉末助剂和导电石墨粉末助剂进行活化。
9.如权利要求8所述的净化空气用半导体复合催化剂的制备方法，其特征在于：所述S2中聚苯乙烯磺酸钠粉末助剂的质量百分比为0.1%～5.0%。
10.如权利要求9所述的净化空气用半导体复合催化剂的制备方法，其特征在于：所述S2中导电石墨粉末助剂质量百分比为0.1%～20.0%。
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