[发明专利]一种双极性双稳态忆阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种双极性双稳态忆阻器，包括上电极、下电极以及两电极之间的阻态转变层，其特征在于，所述的阻态转变层由二氧化钛纳米线阵列和涂布于纳米线阵列上的二氧化钛薄膜构成；

其制备方法包括以下步骤：

1）将FTO下电极清洗干净后，置于反应釜中，加入钛酸四丁酯的酸溶液，进行水热反应，反应完成并清洗干净后，得到生长了二氧化钛纳米线阵列的FTO电极；

2）在步骤1）二氧化钛纳米线阵列上涂布一层二氧化钛薄膜，然后在二氧化钛薄膜上制备一层金属上电极，即得忆阻器样件；

3）将步骤2）获得的忆阻器样件置于弱还原气氛中进行热处理，得到双极性双稳态忆阻器。

2.根据权利要求1所述的双极性双稳态忆阻器，其特征在于，所述下电极为FTO 导电玻璃，上电极为Au、Pt、Fe中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的双极性双稳态忆阻器，其特征在于，所述的二氧化钛纳米线阵列的尺寸长度为0.5-10μm，直径为10-150nm；二氧化钛薄膜的厚度为10-600nm。

4.根据权利要求1所述的双极性双稳态忆阻器，其特征在于，所述步骤1）中，钛酸四丁酯酸溶液的浓度为0.01-1.00mol/L。

5.根据权利要求1所述的双极性双稳态忆阻器，其特征在于，所述步骤1）中，水热反应温度为80-200℃，水热反应时间为1-48h。

6.根据权利要求1所述的双极性双稳态忆阻器，其特征在于，所述步骤2）中，上电极的制备方法为物理沉积、化学沉积中的一种；金属上电极的厚度为10-500nm。

7.根据权利要求6所述的双极性双稳态忆阻器，其特征在于，所述的物理沉积为磁控溅射、真空镀膜中的一种。

8.根据权利要求1所述的双极性双稳态忆阻器，其特征在于，所述步骤3）中，弱还原气氛为惰性气体和氢气的混合气体，氢气体积百分含量为1%-10%。

9.根据权利要求1所述的双极性双稳态忆阻器，其特征在于，所述步骤3）中，热处理温度为400-500℃，处理时间为20-120min。