[发明专利]一种FePt-MgO磁记录薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种FePt-MgO磁记录薄膜，包括基片、沉积于所述基片上的垫层和沉积于所述垫层上的磁性层，其特征在于：所述基片为Si基片，所述垫层为MgO垫层，所述磁性层包括MgO嵌裹层和嵌裹于所述MgO嵌裹层中的FePt纳米台阵列，FePt纳米台一端固定在MgO垫层上，另一端伸出MgO嵌裹层。

2.根据权利要求1所述的FePt-MgO磁记录薄膜，其特征在于：所述MgO垫层的厚度为5～50nm。

3.根据权利要求1所述的FePt-MgO磁记录薄膜，其特征在于：所述磁性层中Fe和Pt的原子比例为45∶55～55∶45；所述MgO嵌裹层的厚度为1～5nm。

4.一种FePt-MgO磁记录薄膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1)制备MgO垫层，在基片上通过真空磁控溅射镀膜法沉积5～50nm厚的MgO垫层；

2)制备磁性层，采用磁控溅射法在MgO垫层上交替溅射FePt-MgO混层和MgO嵌裹层，交替溅射完成后再在最上层的MgO嵌裹层上溅射一层FePt-MgO混层，得到由基片、MgO垫层、FePt-MgO混层和MgO嵌裹层组成的溅射态薄膜；

所述FePt-MgO混层中Fe和Pt的原子比例为45∶55～55∶45，FePt的等效厚度为5～10nm，MgO的体积含量为FePt有效体积的1～5％；

3)将所述溅射态薄膜置于真空环境中进行退火处理，退火温度为700～900℃，退火时间为1～3h，使得FePt发生A1向L1₀转变，并与MgO嵌裹隔层混合后发生相分离，L1₀-FePt外伸形成纳米台阵列，根部被MgO嵌裹层包裹固定于MgO垫层上，制得FePt-MgO磁记录薄膜。

5.根据权利要求4所述的FePt-MgO磁记录薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤1)中溅射时基片温度为50～250℃，溅射腔的背底真空度为10^-6～10^-4Pa，氩气气压为1～5Pa。

6.根据权利要求4或5所述的FePt-MgO磁记录薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中溅射FePt-MgO混层时的温度为350～450℃，溅射MgO嵌裹层时的温度为50～250℃。

7.根据权利要求4或5所述的FePt-MgO磁记录薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中交替溅射的次数为2～20次。

8.根据权利要求4或5所述的FePt-MgO磁记录薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤3)中所述真空环境的真空度为10^-5～9×10^-5Pa。

9.根据权利要求4或5所述的FePt-MgO磁记录薄膜的制备方法，其特征在于：所述步骤2)中溅射所用的Fe靶、Pt靶和MgO靶的纯度不低于99.95％。