[发明专利]一种电阻TCR调零方法

说明书

一种电阻TCR调零方法,包括：将正热敏电阻和负热敏电阻进行分类，选出负热敏电阻；将负热敏电阻置于压强小于10^‑13tor、温度为500‑900℃的条件下进行持续50‑70秒的退火对负热敏电阻进行退火处理，由于退火过程会使电阻TCR上升，获得TCR趋近于零的稳定电阻。本发明对TCR不合格的电阻进行调零处理，得到TCR趋近于零的稳定电阻，降低生产成本，减少环境污染。

技术领域

本申请涉及电阻生产技术领域，具体涉及一种电阻TCR调零方法。

背景技术

电阻温度系数TCR(Temperature Coefficient of resistance)：即温度每变化1摄氏度电阻变化的值。

随着温度的变化，电阻的阻值会发生相应的变化，而在一个电路系统中，温度导致的电阻变化会对整个系统的稳定性和适应的温度造成影响，为了解决这个问题，我们希望生产出TCR越小甚至趋近于零的电阻。

工业上生产的电阻都需要经过一个挑选过程，选出TCR合格的电阻，而TCR 不合格的电阻则作为废料回收，废料回收过程复杂利用率不高且会造成环境污染，这样造成产品成本高。

发明内容

本申请提供一种电阻TCR调零方法，使电阻RCR趋近于零。

根据第一方面，一种实施例中提供一种电阻TCR调零方法,包括：将正热敏电阻和负热敏电阻进行分类，选出负热敏电阻；将负热敏电阻置于压强小于 10^-13tor、温度为500-900℃的条件下进行持续50-70秒的退火。

优选地，将负热敏电阻置于压强为10^-15tor、温度为600℃的条件下进行持续60秒的退火。

优选地，还包括：选出正热敏电阻；将正热敏电阻置入反应腔体中，反应腔体中具有压强大于1200psi，温度为大于31℃的超临界二氧化碳，在该超临界二氧化碳中加溶质，对正热敏电阻进行超临界处理，处理时间大于50分钟，所述溶质体积与反应腔体的体积比为0.1％-1％。

优选地，还包括：选出正热敏电阻；将正热敏电阻置入反应腔体中，反应腔体中具有压强为3000psi、温度为120℃的超临界二氧化碳，在该超临界二氧化碳中加溶质，对正热敏电阻进行超临界处理，处理时间为60分钟，所述溶质体积与反应腔体的体积比为0.3％。

根据第二方面，一种实施例中提供一种电阻TCR调零方法，包括：将正热敏电阻和负热敏电阻进行分类，选出正热敏电阻；将正热敏电阻置入反应腔体中，反应腔体中具有压强大于1200psi、温度为大于31℃的超临界二氧化碳，在该超临界二氧化碳中加溶质，对正热敏电阻进行超临界处理，处理时间大于50 分钟，所述溶质体积与反应腔体的体积比为0.1％-1％。

优选地，反应腔体中具有压强大于1200psi，温度为115-135℃的超临界二氧化碳，在该超临界二氧化碳中加溶质，对正热敏电阻进行超临界处理，处理时间大于50分钟，所述溶质体积与反应腔体的体积比为0.1％-1％。

优选地，反应腔体中具有压强为3000psi，温度为120℃的超临界二氧化碳，在该超临界二氧化碳中加溶质，对正热敏电阻进行超临界处理，处理时间为60 分钟，所述溶质体积与反应腔体的体积比为0.3％。

优选地，所述的溶质为去离子水、氨气、硫化氢。

优选地，还包括：选出负热敏电阻；将负热敏电阻置于压强小于10^-13tor、温度为500-900℃的条件下进行持续50-70秒的退火。

优选地，还包括：选出负热敏电阻；将负热敏电阻置于压强为10^-15tor、温度为600℃的条件下进行持续60秒的退火。