[发明专利]硅基OLED的制备方法及硅基OLED显示模组

说明书

本发明提供了一种硅基OLED的制备方法，包括以下步骤：S1、制备若干带有蒸镀像素图形的硅基掩膜版；S2、选取具有相应像素图形的硅基掩膜版；S3、将所述硅基掩膜版与晶圆的对位贴合，并蒸镀对应的OLED功能层膜；S4、OLED功能层膜蒸镀结束后，采用分离技术分离所述硅基掩膜版与所述晶圆；S5、重复步骤S2～S4将制备硅基OLED的其余功能层膜分别蒸镀在所述晶圆上，制得硅基OLED基体；S6、对所述步骤S5中的硅基OLED基体进行封装，硅基OLED的制备结束。本发明的硅基OLED的制备方法及硅基OLED显示模组，减少了CF层的使用及白光OLED的单独制备，使得硅基OLED显示模组的亮度提高了4倍，同时提高了硅基OLED的PPI并简化了硅基OLED的制备工艺。

技术领域

本发明涉及一种硅基OLED的制备方法及硅基OLED显示模组，属于OLED显示器制造领域。

背景技术

OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示器与CTR(CathodeRay Tube，阴极射线管)显示器或TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay，薄膜晶体管液晶显示器)相比具有更轻和更薄的外观设计、更宽的可视视角、更快的响应速度以及更低的功耗等特点，因此OLED显示器已逐渐作为下一代显示设备而备受人们的关注。

现有技术中，常见的OLED器件包括PMOLED(Passive Matrix OLED，被动矩阵有机电激发光二极管)及AMOLED(Active Matrix OLED，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)。其中，AMOLED在制备过程中，受到FFM(Fine Metal Mask，高精金属掩膜版)技术精度的影响，使得AMOLED的PPI(Pixels Per Inch,每英寸所拥有的像素数目)只能达到300～700，无法达到更高PPI的要求；而硅基OLED显示器件区别于常规利用非晶硅、微晶硅或低温多晶硅薄膜晶体管为背板的AMOLED器件，以单晶硅芯片为基底，像素尺寸为传统显示器件的1/10，精细度远远高于传统器件，使得硅基OLED显示器件的PPI达到2000以上。

同时，目前硅基OLED显示器件实现全彩化的方式为白光OLED与CF层(ColorFilter，彩色滤光片)组合的方式，利用半导体光刻制程保证CF层的高精细化，以提高硅基OLED显示器件分辨率；然而，在实际应用过程中，由于CF层的透光率低于30％，易导致硅基OLED在显示过程中发生光损失，使得硅基OLED显示器件的最高亮度低；此外，由于CF层的对位贴合精度要求高，CF层与白光OLED贴合偏移将导致硅基OLED显示器件出光串色，限制了硅基OLED显示器件PPI的进一步提高。

有鉴于此，却有必要对现有硅基OLED显示模组及其制备方法进行改进，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种硅基OLED的制备方法，该方法通过控制硅基OLED制备过程中掩膜版的设置精度及掩膜版的选材，取消了CF层的使用及白光OLED的单独制备，在提高硅基OLED的PPI的同时，简化硅基OLED的制备工艺。

为实现上述发明目的，本发明提供了一种硅基OLED的制备方法，其中，所述硅基OLED的制备方法包括以下步骤：

S1、制备若干带有蒸镀像素图形的硅基掩膜版；

S2、根据所需蒸镀的OLED功能层膜，选取具有相应像素图形的硅基掩膜版；

S3、采用标记定位技术，将所述硅基掩膜版与晶圆的对位贴合，并蒸镀对应的OLED功能层膜；

S4、OLED功能层膜蒸镀结束后，采用分离技术分离所述硅基掩膜版与所述晶圆；

S5、重复步骤S2～S4将制备OLED的其余功能层膜分别蒸镀在所述晶圆上，制得硅基OLED基体；