[发明专利]一种横向氮化镓功率整流器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201810123813.8 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108365017A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 康玄武;刘新宇;郑英奎;魏珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介质层 势垒层 氮化镓 开口 整流器件 阳极金属 贯通 开口处 截止 淀积 功率整流器件 反向漏电流 衬底基片 氮化镓层 开启电压 刻蚀损伤 阴极金属 第一端 正向 制作 | ||
1.一种横向氮化镓整流器件，包括：衬底基片，所述衬底基片上方的氮化镓层，所述氮化镓层上方的势垒层，所述势垒层上方的第一介质层，以及所述第一介质层上方的第二介质层，其特征在于：
所述第一介质层的第一端具有贯通所述第一介质层并截止于所述势垒层的第一开口，在所述第一开口内形成有阴极金属；
所述第一介质层的第二端具有贯通所述第一介质层并截止于所述势垒层的第二开口，在所述第二开口处，淀积有第二介质层；
所述第二介质层在所述第二开口内的底部具有贯通所述第二介质层并截止于所述势垒层的第三开口，在所述第三开口内淀积有阳极金属。
2.根据权利要求1所述的横向氮化镓整流器件，其特征在于，所述器件还包括器件两端的贯通所述衬底基片、氮化镓层、势垒层、第一介质层和第二介质层的隔离带。
3.根据权利要求1所述的横向氮化镓整流器件，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层的材料为SiN、AlN、SiO2、Al2O3中的一种或几种的组合。
4.根据权利要求3所述的横向氮化镓整流器件，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层通过PVD、CVD或者ALD沉积而成。
5.根据权利要求1所述的横向氮化镓整流器件，其特征在于，所述势垒层的材料为InAlN、AlGaN或者InAlGaN。
6.根据权利要求1所述的横向氮化镓整流器件，其特征在于，所述势垒层的厚度为1-10nm。
7.一种根据权利要求1所述的横向氮化镓整流器件的制作方法，其特征在于，包括：
步骤一、提供外延片，所述外延片包括自底而上的衬底基片、氮化镓层、势垒层和第一介质层；
步骤二、在所述第一介质层的第一端打开贯通所述第一介质层并且截止于所述势垒层的第一开口，并且淀积阴极金属；
步骤三、在所述第一介质层的第二端打开贯通所述第一介质层并且截止于所述势垒层的第二开口；
步骤四、在所述器件表面淀积第二介质层，并在所述第二介质层位于所述第二开口内的底部打开形成贯通所述第二介质层并且截止于所述势垒层的第三开口；
步骤五、在所述第二介质层的第三开口处淀积阳极金属，形成与所述势垒层的肖特基接触。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述步骤三之前还包括在所述器件的两端形成隔离带的步骤。
9.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述阴极金属与所述阳极金属具有相同的金属结构。
10.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述阴极金属与所述阳极金属的材料为Ti、Al、Ni或TiN。
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