[发明专利]一种半导体存储器件的校准方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件的校准方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体存储器件，所述半导体存储器件包括电阻单元和参考电阻，两者在阻抗端点串联组成串联支路，所述串联支路的一端接地，另一端连接电源；

向所述电阻单元提供第一控制码；

所述电阻单元根据所述第一控制码控制所述电阻单元的电阻值；

获取所述阻抗端点的第一电压；

将所述第一电压分别与第一参考电压和第二参考电压进行比较，得到比较结果，其中，所述第一参考电压低于所述第二参考电压；

根据所述比较结果，进行一级判断步骤，包括判断所述第一电压是否在目标一级电压区间的范围内，其中，一级电压区间是接地到电源电压之间被所述第一参考电压和所述第二参考电压划分为三份形成的电压区间，所述目标一级电压区间是以所述电阻单元的阻值为目标值时所述阻抗端点的电压所在的一级电压区间；以及当所述第一电压不在所述目标一级电压区间的范围内，则执行一级一类提供控制码的步骤，包括提供第二控制码以获取所述阻抗端点的第二电压，使所述第二电压在所述目标一级电压区间范围内，其中，所述第二控制码不同于所述第一控制码。

2.根据权利要求1所述的校准方法，其特征在于，当所述第一电压在所述目标一级电压区间的范围内，则执行一级二类提供控制码的步骤，包括向所述电阻单元提供等于所述第一控制码的第二控制码以获取所述阻抗端点的第二电压。

3.根据权利要求2所述的校准方法，其特征在于，还包括以下步骤：

进行二级判断步骤，包括判断所述第二电压是否在目标二级电压区间的范围内，所述目标二级电压区间是以电阻单元的阻值为目标值时阻抗端点的电压所在的二级电压区间；当第二电压不在所述目标二级电压区间内，则执行二级一类提供控制码的步骤，包括向所述电阻单元提供第三控制码以获取第三电压，使所述第三电压在所述目标二级电压区间范围内，其中，所述第三控制码不同于所述第一控制码和所述第二控制码；当第二电压在目标二级电压区间内，则执行二级二类提供控制码的步骤，包括向所述电阻单元提供等于所述第二控制码的第三控制码以获取所述阻抗端点的第三电压；

进行三级判断步骤，包括判断所述第三电压是否在目标三级电压区间的范围内，所述目标三级电压区间是以电阻单元的阻值为目标值时阻抗端点的电压所在的三级电压区间，依次下去，直至目标m级电压区间是电阻单元的阻值为目标值时阻抗端点的电压所在的m级电压区间；

如此循环，直至向所述电阻单元提供第m+1控制码，其中，m＝[log₃2ⁿ]，n是所述电阻单元中并联支路的总数且n是正整数。

4.根据权利要求3所述的校准方法，其特征在于，所述二级电压区间是通过将每个所述一级电压区间划分为三份形成的，所述三级电压区间是通过将每个所述二级电压区间划分为三份形成的；

所述目标二级电压区间是以所述电阻单元的阻值为目标值时所述阻抗端点的电压所在的二级电压区间，所述目标三级电压区间是以所述电阻单元的阻值为目标值时所述阻抗端点的电压所在的三级电压区间。

5.根据权利要求4所述的校准方法，其特征在于，所述一级电压区间是通过所述第一参考电压和所述第二参考电压将电压期望的最小值到电压期望的最大值之间按照三等分原则划分成的三个所述一级电压区间；

其中，当所述参考电阻的一端接地时，所述电压期望的最小值是所述电阻单元的阻值为期望的最大值的情况下所述阻抗端点的电压，所述电压期望的最大值是所述电阻单元的阻值为期望的最小值的情况下所述阻抗端点的电压；

当所述参考电阻的一端连接电源时，所述电压期望的最小值是所述电阻单元的阻值为期望的最小值的情况下所述阻抗端点的电压，所述电压期望的最大值是所述电阻单元的阻值为期望的最大值的情况下所述阻抗端点的电压。

6.根据权利要求5所述的校准方法，其特征在于，所述二级电压区间是按照三等分原则划分成的三个二级电压区间，所述三级电压区间是按照三等分原则划分成的三个三级电压区间，依次下去，直至所述m级电压区间。