[发明专利]具有交直流故障清除能力的子模块结构及MMC拓扑结构在审
| 申请号： | 201810124499.5 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108448542A | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张军;吴金龙;王先为;李道洋;胡丁文;牛翀;姚为正 | 申请（专利权）人： | 许继集团有限公司;西安许继电力电子技术有限公司;许继电气股份有限公司;国网浙江省电力有限公司 |
| 主分类号： | H02H7/26 | 分类号： | H02H7/26;H02J3/36 |
| 代理公司： | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人： | 符亚飞 |
| 地址： | 461000 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 子模块 交直流 发生故障 故障清除 拓扑结构 连接线 并联连接 导通状态 电压负极 电压应力 电压正极 二次设计 功率器件 故障电流 关断状态 稳态运行 交流侧 有效地 触发 导通 阀塔 阀厅 关断 隔离 引入 改造 | ||
1.一种具有交直流故障清除能力的子模块结构，包括MMC子模块，所述MMC子模块包括端口以及与端口连接的子模块拓扑结构，所述端口分为电压正极端口和电压负极端口，其特征在于，所述子模块结构还包括第一控制开关和第二控制开关，所述第一控制开关与所述子模块拓扑结构并联连接，所述第二控制开关串设在电压正极端口或者电压负极端口与子模块拓扑结构之间的连接线路上，当MMC交流侧发生故障或者MMC子模块过压时，控制所述第一控制开关导通，将MMC子模块旁路掉，故障电流不再经过子模块拓扑结构；当MMC直流侧发生故障时，控制第二控制开关断开，实现故障点与MMC子模块的隔离。
2.根据权利要求1所述的具有交直流故障清除能力的子模块结构，其特征在于，所述第一控制开关为第一晶闸管，所述第一晶闸管的阳极与所述电压正极端口相对应，所述第一晶闸管的阴极与所述电压负极端口相对应。
3.根据权利要求1或2所述的具有交直流故障清除能力的子模块结构，其特征在于，所述第二控制开关由反向并联连接的第一二极管和第二晶闸管构成。
4.根据权利要求1或2所述的具有交直流故障清除能力的子模块结构，其特征在于，所述第二控制开关串设在所述电压正极端口与子模块拓扑结构之间的连接线路上，所述第一控制开关设置在所述第二控制开关与所述子模块拓扑结构之间，所述第二控制开关由反向并联连接的第一二极管和第二晶闸管构成，所述第一二极管的阳极连接所述电压正极端口。
5.根据权利要求1或2所述的具有交直流故障清除能力的子模块结构，其特征在于，所述MMC子模块为半桥MMC子模块。
6.一种MMC拓扑结构，包括一种具有交直流故障清除能力的子模块结构，所述子模块结构包括MMC子模块，所述MMC子模块包括端口以及与端口连接的子模块拓扑结构，所述端口分为电压正极端口和电压负极端口，其特征在于，所述子模块结构还包括第一控制开关和第二控制开关，所述第一控制开关与所述子模块拓扑结构并联连接，所述第二控制开关串设在电压正极端口或者电压负极端口与子模块拓扑结构之间的连接线路上，当MMC交流侧发生故障或者MMC子模块过压时，控制所述第一控制开关导通，将MMC子模块旁路掉，故障电流不再经过子模块拓扑结构；当MMC直流侧发生故障时，控制第二控制开关断开，实现故障点与MMC子模块的隔离。
7.根据权利要求6所述的MMC拓扑结构，其特征在于，所述第一控制开关为第一晶闸管，所述第一晶闸管的阳极与所述电压正极端口相对应，所述第一晶闸管的阴极与所述电压负极端口相对应。
8.根据权利要求6或7所述的MMC拓扑结构，其特征在于，所述第二控制开关由反向并联连接的第一二极管和第二晶闸管构成。
9.根据权利要求6或7所述的MMC拓扑结构，其特征在于，所述第二控制开关串设在所述电压正极端口与子模块拓扑结构之间的连接线路上，所述第一控制开关设置在所述第二控制开关与所述子模块拓扑结构之间，所述第二控制开关由反向并联连接的第一二极管和第二晶闸管构成，所述第一二极管的阳极连接所述电压正极端口。
10.根据权利要求6或7所述的MMC拓扑结构，其特征在于，所述MMC子模块为半桥MMC子模块。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于许继集团有限公司;西安许继电力电子技术有限公司;许继电气股份有限公司;国网浙江省电力有限公司，未经许继集团有限公司;西安许继电力电子技术有限公司;许继电气股份有限公司;国网浙江省电力有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810124499.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
