[发明专利]微元件转移系统

权利要求书

1.一种微元件转移系统，其特征在于，包含：

转移头，包含多个拾取电极，用以分别拾取多个微元件，且包含多个薄膜晶体管，分别相应于该些拾取电极；

转移头支架，用以支持该转移头；

薄膜晶体管驱动板，电性连接以驱动控制该些薄膜晶体管；

供给基板或接受基板，用以承载该些微元件

基板支架，用以支持该供给基板或接受基板；及

延伸部，设于该转移头的工作区外，该延伸部的一端邻近该转移头支架，且该延伸部的另一端的底面连接该薄膜晶体管驱动板。

2.根据权利要求1所述的微元件转移系统，其特征在于，其中该微元件的尺寸为1～100微米。

3.根据权利要求1所述的微元件转移系统，其特征在于，其中该微元件包含微发光二极管。

4.根据权利要求1所述的微元件转移系统，其特征在于，其中该些拾取电极及该些薄膜晶体管设于该转移头的底面且位于工作区内。

5.根据权利要求1所述的微元件转移系统，其特征在于，其中该些薄膜晶体管排列为矩阵形式，以形成薄膜晶体管主动式矩阵。

6.根据权利要求1所述的微元件转移系统，其特征在于，其中该薄膜晶体管驱动板包含：

扫描驱动器，连接以控制同一列的薄膜晶体管的闸极；

源极驱动器，连接以控制同一行的薄膜晶体管的源极；及

时序控制器，控制该扫描驱动器与该源极驱动器。

7.根据权利要求1所述的微元件转移系统，其特征在于，其中每一该薄膜晶体管的汲极相应连接至该拾取电极。

8.根据权利要求1所述的微元件转移系统，其特征在于，其中该薄膜晶体管包含：

基板；

闸极导电层，形成于该基板上，作为该薄膜晶体管的闸极；

闸极绝缘层，形成于该闸极导电层与该基板上；

源极导电层与汲极导电层，形成于该闸极绝缘层上，分别作为该薄膜晶体管的源极与汲极，该源极导电层与该汲极导电层分别与该闸极导电层的两端重叠；

平坦化层，形成于该闸极绝缘层、该源极导电层与该汲极导电层上；

屏蔽导电层，形成于该平坦化层上；

绝缘层，形成于该屏蔽导电层上；及

拾取电极层，形成于该绝缘层上及该绝缘层与该平坦化层的穿孔内，且连接至该汲极导电层，作为该拾取电极；

其中该拾取电极层穿透该绝缘层、该屏蔽导电层及该平坦化层，且不与该屏蔽导电层接触。

9.根据权利要求8所述的微元件转移系统，其特征在于，其中该薄膜晶体管的基板包含玻璃基板。

10.根据权利要求8所述的微元件转移系统，其特征在于，其中该薄膜晶体管更包含：

覆盖层，形成于该绝缘层与该拾取电极层上，用以保护该拾取电极。

11.根据权利要求10所述的微元件转移系统，其特征在于，其中该覆盖层包含缓冲材质。

12.根据权利要求1所述的微元件转移系统，其特征在于，其中该接受基板所承载的面板画素的间距为该些拾取电极的间距的整数倍。