[发明专利]垂直式晶片与水平式晶片的嵌入型封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种垂直式晶片的嵌入型封装结构，其特征是包含：

一基板，其具有一第一面及相对的一第二面，其中在该第二面上设有一第一电路层，在该基板的第一面上钻孔成型至少一第一盲孔及至少一第二盲孔，其中各第一盲孔及各第二盲孔分别由该第一面穿过该基板厚度而连通至该第一电路层；

至少一垂直式晶片，各垂直式晶片具有至少二晶垫，其中至少一晶垫设在各垂直式晶片的一第一表面上，而其他至少一晶垫设在相对的第二表面上，各垂直式晶片嵌入于所对应的各第一盲孔内，并使设在第二表面上的各晶垫能凭借导电材以电性连结至该基板的第一电路层；

一绝缘层，其覆设在该基板的第一面上，且在该绝缘层上钻孔成型至少一第三盲孔及至少一第四盲孔；其中各第三盲孔穿过该绝缘层厚度而连通至该垂直式晶片的第一表面；其中各第四盲孔贯穿该绝缘层厚度并对应连通至设在该基板上的各第二盲孔，使各第四盲孔与所对应的各第二盲孔能形成一上下连通的一体式盲孔；

一第二电路层，其利用电镀技术以成型在该绝缘层的表面上以及各第三盲孔、各第四盲孔与各第二盲孔的内壁面上，使设在该垂直式晶片的第一表面上的各晶垫能凭借该第二电路层以电性连结至该第一电路层。

2.如权利要求1所述的垂直式晶片的嵌入型封装结构，其特征在于：该绝缘层进一步填满各垂直式晶片嵌入在各第一盲孔中所留下的空隙。

3.如权利要求1所述的垂直式晶片的嵌入型封装结构，其特征在于：还包含一外护层，该外护层覆设在该第二电路层上并填满各第三盲孔、各第四盲孔及各第二盲孔。

4.如权利要求1所述的垂直式晶片的嵌入型封装结构，其特征在于：该基板的第一盲孔的深度等于该垂直式晶片的厚度。

5.一种垂直式晶片的嵌入型封装结构的制造方法，其特征是包含下列步骤：

步骤S1：提供一基板，其具有一第一面及相对的一第二面，在该第二面上设有一第一电路层，在该基板的第一面上钻孔成型至少一第一盲孔及至少一第二盲孔，其中各第一盲孔及各第二盲孔分别由该基板的第一面穿过该基板厚度而连通至该第一电路层；

步骤S2：提供至少一垂直式晶片，各垂直式晶片设有至少二晶垫，其中至少一晶垫设在各垂直式晶片的一第一表面上，其他至少一晶垫设在各垂直式晶片的相对的一第二表面上；

步骤S3：将各垂直式晶片分别嵌入于所对应的各第一盲孔内，并使设在各垂直式晶片的第二表面上的各晶垫凭借导电材以电性连结至该基板的第一电路层；

步骤S4：在该基板的第一面上覆设一绝缘层；

步骤S5：在该绝缘层上钻孔成型至少一第三盲孔及至少一第四盲孔，其中各第三盲孔分别穿过该绝缘层厚度而连通至各垂直式晶片的第一表面上所设的各晶垫，其中各第四盲孔系在钻孔成型时能同时贯穿该绝缘层厚度并对应连通至设在该基板上的各第二盲孔，使各第四盲孔能与所对应的各第二盲孔形成一上下连通的一体式盲孔；

步骤S6：利用电镀技术以在该绝缘层的表面上及各第三盲孔、各第四盲孔及各第二盲孔的内壁面上成型一第二电路层，以使设在该垂直式晶片的第一表面上的各晶垫能凭借该第二电路层以电性连结至设在该基板的第二面上的该第一电路层。

6.如权利要求5所述的垂直式晶片的嵌入型封装结构的制造方法，其特征在于：还包含一步骤S7：设一外护层，使该外护层覆设在该第二电路层上并填满各第三盲孔、各第四盲孔及各第二盲孔。