[发明专利]拓扑绝缘体异质结构薄膜Bi2Se3/C的制备方法有效
| 申请号： | 201810124872.7 | 申请日： | 2018-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN108277466B | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 羊新胜;张洁;刘其娅;赵婷;刘悦;赵可;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/18;C23C14/58 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 退火 制备 异质结构 绝缘体 薄膜 真空石英管 磁控溅射 基膜 拓扑 气压 无定形膜 碳薄膜 镀膜 碳基 碳膜 硒粒 平整 | ||
1.一种拓扑绝缘体异质结构薄膜Bi2Se3/C的制备方法，其步骤是：
a、碳基膜的制备：以碳材料作为靶材，在石英(S iO 2)基片上磁控溅射形成无定形碳基膜；其具体做法是：基片与靶材的间距为5cm-7cm，将磁控溅射设备的真空室抽真空至气压小于2×10-4Pa，再通入分析纯的氩气，使真空室的气压为0.6Pa-0.8Pa，调整衬底温度为25-45℃，溅射功率为60W-80W，溅射时间为10-30min；
b、碳膜退火成相：将a步得到的溅射有无定形碳基膜的基片封入气压小于1×10-2Pa的真空石英管中，再将真空石英管置于热处理炉中，进行退火成相处理，即在基片上得到碳薄膜；
c、Bi2Se3基膜的制备：以Bi2Se3材料作为靶材，在b步得到的含碳薄膜的基片上，磁控溅射一层Bi2Se3膜，进而在基片上形成Bi2Se3/C基膜；
所述的磁控溅射一层Bi2Se3膜的具体做法是：基片与靶材的间距为5cm-7cm，将磁控溅射设备的真空室抽真空至气压小于2×10-4Pa，再通入分析纯的氩气，使真空室气压为0.25-0.35Pa，调整衬底温度为280-320℃，溅射功率密度为2.29W/cm2-2.80W/cm2，溅射时间为1-3min；
d、Bi2Se3退火成相：将c步得到的带Bi2Se3/C基膜的基片和硒粒一起封入气压小于1×10-2Pa的真空石英管中，所述的硒粒和基片上的Bi2Se3膜的质量比为0.1-0.5：1；再将真空石英管置于热处理炉中，进行退火成相处理，即制得拓扑绝缘体Bi2Se3/C异质结构薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种拓扑绝缘体异质结构薄膜Bi2Se3/C的制备方法，其特征在于：所述b步中退火成相处理的具体做法是，以2℃-3℃/分钟的升温速度升至100-300℃，保温0.5-1.5小时，然后随炉冷却。
3.根据权利要求1所述的一种拓扑绝缘体异质结构薄膜Bi2Se3/C的制备方法，其特征在于：所述d步中退火成相处理的具体做法是，以2℃-3℃/分钟的升温速度升至280-320℃，保温1-3小时，然后随炉冷却。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学，未经西南交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810124872.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
