[发明专利]基于正交偏振型压电陶瓷微阵列的光纤偏振态控制器在审

专利信息
申请号: 201810125611.7 申请日: 2018-02-07
公开(公告)号: CN110119043A 公开(公告)日: 2019-08-13
发明(设计)人: 苑立波;马超 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: G02F1/055 分类号: G02F1/055
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 541004 广西*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 压电陶瓷 光纤调制器 光纤偏振 正交偏振 控制器 微阵列 调制 光纤 电信号控制 光纤横截面 信号偏振态 压电换能器 高频振动 工艺制作 光纤表面 光纤技术 溅射镀膜 喷墨打印 正交方向 集成度 极化 双折射 折射率 阵列式 制备 封装 成型 金属 灵活 应用
【权利要求书】:

1.一种基于正交偏振型压电陶瓷微阵列的光纤偏振态控制器。其主要特征是:它由光纤1、径向内层金属阵列电极2、径向外层金属阵列电极3、径向压电陶瓷阵列4、纵向金属阵列电极5、纵向压电陶瓷阵列6、可编程阵列电极7、聚合物8、石英基底9、金属引脚10、金属引线11、外壳12、螺丝13组成。将电压信号输入到可编程阵列电极,可以实现对打印在光纤表面的压电陶瓷阵列单元的振动控制,并将电能转化为相应的机械能。这种对光纤的周期性挤压,将进一步导致光纤的应力双折射,从而实现对光信号的偏振态的调制。

2.根据权利要求1所述的基于正交偏振型压电陶瓷微阵列的光纤偏振态控制器,其特征在于:通过利用压电陶瓷的喷墨打印以及金属靶溅射镀膜技术,在光纤表面指定位置上制作压电换能器的微结构,进而实现对光纤中偏振态的控制。

3.根据权利要求1所述的基于正交偏振型压电陶瓷微阵列的光纤偏振态控制器中,压电结构打印的位置位于光纤表面对称的两扇形区域,圆心角为90°,且两相邻压电结构中压电陶瓷在光纤表面所在位置互成45°角。

4.根据权利要求1所述的基于正交偏振型压电陶瓷微阵列的光纤偏振态控制器,其压电结构特征在于:控制器中采用径向以及纵向的压电结构,分别对应压电陶瓷的径向和纵向极化方式。

5.根据权利要求1所述的基于正交偏振型压电陶瓷微阵列的光纤偏振态控制器,其压电结构采用阵列式的排列方式,实现对光纤的周期性挤压。

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