[发明专利]一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 201810125883.7 | 申请日： | 2018-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN108249902B | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 雷文;宋小强;吕文中;汪小红;王晓川;范桂芬;付明 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01B3/12 | 分类号： | H01B3/12;C04B35/16 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅酸盐 基低介 微波 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷，其特征在于，包括主晶相，所述主晶相的化学式是AxBSiyO1+x+2y，其中，A为Ba1-zSrz、Ba1-zCaz或者Sr1-zCaz，B为Cu，0.5≤x＜2，1≤y≤4，0≤z≤1，
所述硅酸盐基低介微波介质陶瓷的制备方法，包括：
(1)将CaCO3、SrCO3、BaCO3、CuO及SiO2按化学式AxBSiyO1+x+2y进行配料，得到混合原料，其中，A为Ba1-zSrz、Ba1-zCaz或者Sr1-zCaz，B为Cu，0.5≤x＜2，1≤y≤4，0≤z≤1，对混合原料依次进行球磨、干燥、过筛，得到颗粒均匀的粉料；
(2)将粉料在850℃～950℃下预烧3～5小时，得到预烧粉料，对预烧粉料依次进行球磨、干燥、过筛，得到预烧陶瓷粉体，利用粘结剂对预烧陶瓷粉体进行造粒后加压成型，得到陶瓷坯体，将陶瓷坯体在950℃～1125℃下烧结3h～5h，得到微波介质陶瓷。
2.如权利要求1所述的一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述微波介质陶瓷的介电常数为4.2～12。
3.如权利要求2所述的一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述微波介质陶瓷的介电常数为4.2～5.59。
4.如权利要求1或2所述的一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述微波介质陶瓷的品质因数为7729GHz～82071GHz。
5.如权利要求4所述的一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述微波介质陶瓷的品质因数为42719GHz～82071GHz。
6.如权利要求1或2所述的一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述微波介质陶瓷的谐振频率温度系数为-60ppm/℃～-1.2ppm/℃。
7.如权利要求6所述的一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述微波介质陶瓷的谐振频率温度系数为-7ppm/℃～-1.2ppm/℃。
8.如权利要求1所述的一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述球磨的具体实现方式为：
向混合原料和去离子水加入装有锆球的聚酯球磨罐中，在行星式球磨机中球磨3～6小时。
9.如权利要求1所述的一种硅酸盐基低介微波介质陶瓷，其特征在于，所述干燥的具体实现方式为：
将球磨后的混合原料置于75℃～90℃的鼓风干燥箱中干燥8h～12h。
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