[发明专利]气体喷射装置、衬底加工设施以及衬底加工方法在审
申请号: | 201810126635.4 | 申请日: | 2018-02-07 |
公开(公告)号: | CN108573898A | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 池尙炫;金昌敎 | 申请(专利权)人: | AP系统股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马爽;臧建明 |
地址: | 韩国京畿道华城市*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 气体喷射装置 衬底加工 喷嘴 密度分布 喷射气体 喷射控制单元 工艺类型 关闭操作 目标气体 喷射部件 喷嘴喷射 对齐 自动地 加工 | ||
1.一种气体喷射装置,其特征在于,包括:
喷射部件,在衬底的宽度方向上对齐并设置在位于所述衬底的外侧的一侧上,且具有多个喷嘴,所述多个喷嘴被配置成朝所述衬底喷射气体;以及
喷射控制单元,被配置成自动地控制以下中的至少一者:所述多个喷嘴中的每一者均喷射气体、以及所述多个喷嘴中的每一者的气体喷射量,使得通过所述多个喷嘴喷射的所述气体在所述衬底的所述宽度方向上的气体密度分布变为目标气体密度分布类型。
2.根据权利要求1所述的气体喷射装置,其特征在于,所述喷射控制单元包括:
气体密度分布类型存储部件,被配置成存储不同的气体密度分布类型;
喷射类型存储部件,被配置成存储能够实现所述多个气体密度分布类型中的每一者的多个喷射控制类型;以及
喷射控制部件,根据所要执行的衬底工艺,被配置成选择所述气体密度分布类型存储部件中的所述气体密度分布类型中的一者、以及选择所述喷射类型存储部件中的一个所述喷射控制类型以使得实现所选择的所述气体密度分布类型,且控制所述喷射部件的操作以进行控制来使得所述喷射部件变为所选择的所述喷射控制类型。
3.根据权利要求2所述的气体喷射装置,其特征在于,所述喷射控制单元包括存储多个不同工艺类型的工艺类型存储部件,且所述喷射控制部件选择所述工艺类型存储部件中的工艺类型中的任一者并选择所述气体密度分布类型存储部件中的所述气体密度分布类型中的任一者以执行所选择的所述工艺类型。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的气体喷射装置,其特征在于,所述喷射部件包括:
喷射区块,设置在位于所述衬底的所述外侧的所述一侧上,通过在所述衬底的所述宽度方向上延伸而形成,且所述多个喷嘴设置在所述喷射区块中;
多个供应管道,分别连接到所述多个喷嘴,且被配置成将气体分别供应到所述多个喷嘴;以及
喷射阀门,安装在所述多个供应管道中的每一者上,且被配置成控制所述供应管道与所述多个喷嘴之间的连通、以及气体量。
5.根据权利要求4所述的气体喷射装置,其特征在于,所述喷射控制部件与所述喷射阀门联锁,以根据所选择的所述喷射控制类型来控制所述多个喷射阀门中的每一者的操作。
6.根据权利要求4所述的气体喷射装置,其特征在于,还包括:
输送部件,被配置成将气体输送到所述多个供应管道中的每一者;
壳体,被设置成在所述输送部件的延伸路径的至少一个位置上容纳所述输送部件的至少一部分;以及
传感器,安装在所述壳体上以感测所述壳体内的所述气体,且从而监测所述气体是否从所述输送部件泄露。
7.一种衬底加工设施,其特征在于,包括:
安放部分,被配置成将衬底安放在所述安放部分的一个表面上;
加热单元,被定位成面对所述安放部分并被配置成提供热量来加热所述衬底;以及
气体喷射装置,设置在所述安放部分的上表面之上,被装设成定位在安放于所述安放部分上的所述衬底的外侧的一侧上,具有朝所述衬底喷射气体的多个喷嘴,并自动地控制以下中的至少一者:从所述多个喷嘴中的每一者喷射所述气体、以及所述多个喷嘴中的每一者的气体喷射量,使得通过所述多个喷嘴喷射的所述气体在所述衬底的宽度方向上的气体密度分布变为多个预先存储的气体密度分布类型中的目标气体密度分布类型。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造