[发明专利]一种控制大尺寸连铸坯中V偏析的方法有效

专利信息
申请号: 201810126647.7 申请日: 2018-02-08
公开(公告)号: CN108436049B 公开(公告)日: 2019-11-01
发明(设计)人: 马晓平;李殿中;曹艳飞;刘宏伟;栾义坤;傅排先;胡小强;康秀红 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: B22D11/16 分类号: B22D11/16;B22D11/115
代理公司: 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要:
搜索关键词: 连铸坯 偏析 大尺寸连铸坯 黑色金属 电磁搅拌 碎化 制备 连铸坯中心 熔体纯净化 浸入 复合工艺 金属熔体 凝固过程 熔体流动 有效控制 等轴晶 低水口 过热度 静磁场 弱结晶 扇形段 柱状晶 补缩 冲刷 晶核 拉速 水口 铸态 存活 施加 流动
【权利要求书】:

1.一种控制大尺寸连铸坯中V偏析的方法,其特征在于,包括如下步骤:

1)控制连铸金属熔体的纯净度;

2)抑制金属大尺寸连铸坯中金属熔体的流动,减轻熔体流动对柱状晶的冲刷碎化,抑制碎化晶核的运动;

3)保持连铸坯中心熔体的高过热度,抑制碎化晶核的存活;

4)通过控制连铸坯中心熔体中的晶核数目,调整中心等轴晶区的比例和分布,改变连铸坯中心的补缩方式,减轻V偏析。

2.按照权利要求1所述的控制大尺寸连铸坯中V偏析的方法,其特征在于,控制连铸金属熔体的纯净度,钢铁熔体的全氧含量低于30ppm,硫含量低于0.01wt%。

3.按照权利要求1所述的控制大尺寸连铸坯中V偏析的方法,其特征在于,采用水口结构设计、减小水口浸入深度、弱结晶器搅拌、高拉速、施加静磁场、取消末端电磁搅拌的复合工艺措施,抑制连铸坯金属熔体的流动,减轻熔体流动对边部柱状晶的冲刷碎化,并抑制碎化晶核的运动。

4.按照权利要求3所述的控制大尺寸连铸坯中V偏析的方法,其特征在于,根据连铸坯尺寸及形状,设计水口直径及水口结构,采用大直径水口降低金属熔体进入结晶器的流动速度,水口结构设计以减轻对边部柱状晶的冲刷为准则,对于大直径的连铸圆坯采用单孔向下结构的水口,水口的直径范围为20~150mm。

5.按照权利要求3所述的控制大尺寸连铸坯中V偏析的方法,其特征在于,控制结晶器中水口浸入结晶器液面的深度为80~100mm,降低金属熔体进入结晶器后对边部柱状晶的冲刷;关闭或者减小结晶器电磁搅拌的强度,使搅拌电流为0~100A,关闭连铸坯末端电磁搅拌,抑制连铸坯金属熔体的流动。

6.按照权利要求3所述的控制大尺寸连铸坯中V偏析的方法,其特征在于,针对不同连铸材料及连铸坯的尺寸,将连铸坯的拉坯速度在常规拉速的基础上提高10~40%,减少电磁搅拌对连铸坯的作用时间。

7.按照权利要求6所述的控制大尺寸连铸坯中V偏析的方法,其特征在于,对于钢铁材料的连铸圆坯,直径300mm连铸坯的拉速范围为0.85~1.20m/min,直径400mm连铸坯的拉速范围为0.50~0.70m/min,直径500mm连铸坯的拉速范围为0.35~0.50m/min,直径600mm连铸坯的拉速范围为0.24~0.33m/min。

8.按照权利要求3所述的控制大尺寸连铸坯中V偏析的方法,其特征在于,在结晶器或者各扇形段施加静磁场,静磁场强度为0.1~1T。

9.按照权利要求1所述的控制大尺寸连铸坯中V偏析的方法,其特征在于,通过提高水口温度,保持连铸坯中心熔体的高过热度,抑制碎化晶核的存活,水口温度高于连铸金属液相线30~70℃。

10.按照权利要求1所述的控制大尺寸连铸坯中V偏析的方法,其特征在于,通过抑制连铸坯中心的晶核数量,并辅助连铸扇形段弧度的控制,减小等轴晶区比例使等轴晶区沉降于连铸坯中心的一侧,保证连铸坯始终通过液相补缩,而避免等轴晶区补缩,从而有效避免V偏析。

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