[发明专利]发光部件、发光装置和图像形成装置有效
申请号: | 201810127280.0 | 申请日: | 2018-02-08 |
公开(公告)号: | CN108428707B | 公开(公告)日: | 2023-08-11 |
发明(设计)人: | 近藤崇 | 申请(专利权)人: | 富士胶片商业创新有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本东京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 部件 装置 图像 形成 | ||
本发明公开了一种发光部件、发光装置和图像形成装置,该发光部件具备:基板;发光元件,该发光元件设置在所述基板上;晶闸管,通过该晶闸管变为ON状态,使所述发光元件发光或使该发光元件的发光量增加;以及光透射抑制层,该光透射抑制层以使所述发光元件与所述晶闸管层叠的方式设置于该发光元件和该晶闸管之间,抑制该晶闸管射出的光透射。
技术领域
本发明涉及一种发光部件、发光装置和图像形成装置。
背景技术
在日本特开平1-238962号公报中记载有一种发光元件阵列,其将多个可从外部控制阈值电压或阈值电流的发光元件进行一维、二维或三维排列,将控制各发光元件的阈值电压或者阈值电流的电极相互电连接,并将从外部施加电压或电流的时钟线连接在各发光元件上。
在日本特开2009-286048号公报中记载有一种自扫描型光源头,其具备:基板;面发光型半导体激光器,其以阵列状配设在基板上;以及作为开关元件的晶闸管,其排列在基板上,使上述面发光型半导体激光器的发光有选择地导通/断开。
在日本特开2001-308385号公报中记载有一种自扫描型发光装置,其构成pnpnpn六层半导体结构的发光元件,在两端的p型第一层和n型第六层以及中央的p型第三层及n型第四层上设置电极,使pn层承担发光二极管功能,使pnpn四层承担晶闸管功能。
然而,例如,在具备发光部和驱动部的自扫描型发光元件阵列中,若发光部的发光元件由与用于驱动部的驱动的元件相同的半导体多层膜构成,则难以对发光元件的发光特性和用于驱动的元件的驱动特性独立地进行设定。因此,考虑到将用于驱动的元件与发光部的发光元件层叠而对发光元件的特性和用于驱动的元件的特性独立地进行设定。但是,若在用于驱动的元件上层叠发光元件,由于在半导体层生长时产生的结晶缺陷等,发光元件的特性有可能会劣化。
发明内容
鉴于此,本发明的目的在于,提供一种发光部件等,与未在用于驱动的元件上层叠发光元件的情况相比,能够抑制发光元件的特性的劣化。
根据本发明的第一方面,提供一种发光部件,其具备:基板;发光元件,该发光元件设置在所述基板上;晶闸管,通过该晶闸管变为ON状态,使所述发光元件发光或使该发光元件的发光量增加;以及光透射抑制层,该光透射抑制层以使所述发光元件与所述晶闸管层叠的方式设置于该发光元件和该晶闸管之间,抑制该晶闸管射出的光透射。
根据本发明的第二方面,所述发光元件射出的光与所述晶闸管射出的光的波长不同。
根据本发明的第三方面,所述光透射抑制层包含半导体层,该半导体层的带隙能量小于相当于所述晶闸管射出的光的带隙能量。
根据本发明的第四方面,所述发光元件及所述晶闸管分别通过层叠多个半导体层而构成,所述光透射抑制层具有与在所述发光元件侧相接的构成该发光元件的半导体层和在所述晶闸管侧相接的构成该晶闸管的半导体层中的任意一个半导体层相同的导电型,并包含与该任意一个半导体层相比杂质浓度高的半导体层。
根据本发明的第五方面,所述发光元件及所述晶闸管分别通过层叠多个半导体层而构成,所述光透射抑制层以保持在使所述发光元件侧相接的构成该发光元件的半导体层和在所述晶闸管侧相接的构成该晶闸管的半导体层直接接合的情况下的电流容易流通的方向的方式构成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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