[发明专利]正面出光的高压LED微显示装置及其制备方法

权利要求书

1.一种正面出光的高压LED微显示装置，其特征在于，包括：

一衬底；以及

集成于所述衬底上的多个发光单元，每个所述发光单元分别包括依次形成于所述衬底上的外延层、ITO薄膜层和SiO₂钝化层，所述外延层包括依次形成于所述衬底上的N型GaN层、量子阱层和P型GaN层，还包括：

成行排列的多条P电极，每条P电极分别与位于该行的所有发光单元的ITO薄膜层电性连接；

成列排列的多条N电极，每条N电极分别与位于该列的所有发光单元的N型GaN层电性连接，

所述SiO₂钝化层分隔于所述P电极和N电极之间。

2.根据权利要求1所述的正面出光的高压LED微显示装置，其特征在于，ITO薄膜的厚度为230nm。

3.根据权利要求1所述的正面出光的高压LED微显示装置，其特征在于，所述衬底采用蓝宝石衬底。

4.根据权利要求1所述的正面出光的高压LED微显示装置，其特征在于，所述P电极和N电极的材料为Cr/Au金属。

5.根据权利要求1所述的正面出光的高压LED微显示装置，其特征在于，所述量子阱层采用InGaN/GaN结构。

6.根据权利要求5所述的正面出光的高压LED微显示装置，其特征在于，所述量子阱层由4个量子阱且阱层厚度为4nm的量子阱组成。

7.一种正面出光的高压LED微显示装置的制备方法，其特征在于，包括步骤：

(1)、采用气相外延生长方法制作外延层，包括依次在蓝宝石衬底表面依次生长N型GaN层、量子阱层和P型GaN层；

(2)、外延层清洗：将形成有外延层的衬底加入到煮沸的丙酮和无水乙醇混合溶液中，然后用去离子水清洗，再依次用王水和去离子水清洗，最后氮气吹干；

(3)采用电子束蒸发方法在外延层上表面沉积ITO薄膜；

(4)、光刻并腐蚀ITO薄膜，在氮气环境中进行退火；

(5)、采用电感耦合等离子体刻蚀方法刻蚀外延层至N型GaN层，形成台阶部；

(6)、采用磁控溅射方法在N型GaN层的台阶部上制作成列排列的多条N电极；

(7)、采用PECVD方法在暴露的P型GaN层、N型GaN层和N电极上形成SiO₂钝化层；

(8)、光刻并腐蚀SiO₂钝化层，以形成成行排列的多条P电极窗口；

(9)、采用磁控溅射方法在P电极窗口形成P电极。

8.根据权利要求7所述的正面出光的高压LED微显示装置的制备方法，其特征在于，所述量子阱层采用InGaN/GaN结构。

9.根据权利要求8所述的正面出光的高压LED微显示装置的制备方法，其特征在于，量子阱层由1至6个量子阱且阱层厚度为4nm的量子阱组成。