[发明专利]太阳能电池吸收层的制备方法和太阳能电池的制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

在沉积有背电极的基底上依次溅射铜镓合金层和铟层，以形成铜铟镓预制膜；

将所述铜铟镓预制膜放入具有预设的第一温度阈的反应腔中，并在所述反应腔中通入预设的第一载气流量值的硒气氛，使所述铜铟镓预制膜在所述第一载气流量值的硒气氛中反应第一预设时长；

向所述反应腔内通入预设的第二载气流量值的硒气氛，使所述铜铟镓预制膜在所述第二载气流量值的硒气氛中反应第二预设时长；所述第一载气流量值与所述第二载气流量值的比大于5；

在预设的第二温度阈和第三预设时长内对所述基底进行退火处理。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，在将所述铜铟镓预制膜放入具有预设的第一温度阈的反应腔中之前还包括：

在真空或设定气压的惰性气体中，将固态硒源加热至预设的第三温度阈内，以在所述反应腔中形成硒气氛。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述预设的第一温度阈为550℃～580℃，所述预设的第二温度阈为500℃～600℃，所述预设的第三温度阈为250℃～470℃，所述设定气压为1Pa～1atm。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述第一预设时长为25s～35s，所述第二预设时长为260s～275s，所述第三预设时长为5min～30min。

5.根据权利要求2所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述预设的第一温度阈为620℃～700℃，所述预设的第二温度阈为500℃～600℃，所述预设的第三温度阈为380℃～500℃。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述第一预设时长为15s～25s，所述第二预设时长为15s～35s，所述第三预设时长为5min～30min。

7.根据权利要求1-6任一项所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述铜铟镓预制膜组成元素的原子比例满足：0.8≤Cu/(In+Ga)≤0.96，0.25≤Ga/(In+Ga)≤0.35。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述反应腔为石墨反应腔。

9.根据权利要求1-6任一项所述的太阳能电池吸收层的制备方法，其特征在于，所述硒气氛包括：硒蒸气或硒化氢气体。

10.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括如权利要求1～9任一项所述的太阳能电池吸收层的制备方法。