[发明专利]碳化硅陶瓷复合材料及其制备方法在审
申请号: | 201810129850.X | 申请日: | 2018-02-08 |
公开(公告)号: | CN108300885A | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 彭伟 | 申请(专利权)人: | 广东技术师范学院天河学院 |
主分类号: | C22C1/04 | 分类号: | C22C1/04;C22C1/10;C22C21/00;C22C32/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 万志香 |
地址: | 510540 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 碳化硅陶瓷复合材料 互穿 制备 碳化硅骨架 预氧化处理 混合物置于氮气 铝基复合材料 碳化硅陶瓷 制备周期 网络 烧结 对设备 合金粉 填充 | ||
1.一种碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取网络互穿碳化硅骨架,对其进行预氧化处理;
于预氧化处理后的所述网络互穿碳化硅骨架的孔隙中填充合金粉,得混合物;
将所述混合物置于氮气氛围下烧结,得碳化硅陶瓷复合材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述合金粉中,包括以下重量百分比的组分:
铝75%-90%、镁5%-15%、硅2%-10%。
3.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述合金粉与所述网络互穿碳化硅骨架的重量比为(70-90):(10-30)。
4.根据权利要求1-3任一项所述的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述合金粉的颗粒粒径为200目-300目。
5.根据权利要求1-3任一项所述的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述烧结的工艺参数包括:烧结温度800℃-1200℃。
6.根据权利要求1-3任一项所述的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述烧结的工艺参数包括:保温时间为30min-120min。
7.根据权利要求1-3任一项所述的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述预氧化的工艺参数包括:温度800℃-1000℃。
8.根据权利要求1-3任一项所述的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述预氧化的工艺参数包括:时间为60-180min。
9.根据权利要求1-3任一项所述的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述网络互穿碳化硅骨架的孔径为10PPI-40PPI。
10.一种碳化硅陶瓷复合材料,其特征在于,由权利要求1-9任一项所述的制备方法制得。
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