[发明专利]碳化硅陶瓷复合材料及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201810129850.X 申请日: 2018-02-08
公开(公告)号: CN108300885A 公开(公告)日: 2018-07-20
发明(设计)人: 彭伟 申请(专利权)人: 广东技术师范学院天河学院
主分类号: C22C1/04 分类号: C22C1/04;C22C1/10;C22C21/00;C22C32/00
代理公司: 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 代理人: 万志香
地址: 510540 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 碳化硅陶瓷复合材料 互穿 制备 碳化硅骨架 预氧化处理 混合物置于氮气 铝基复合材料 碳化硅陶瓷 制备周期 网络 烧结 对设备 合金粉 填充
【权利要求书】:

1.一种碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

获取网络互穿碳化硅骨架,对其进行预氧化处理;

于预氧化处理后的所述网络互穿碳化硅骨架的孔隙中填充合金粉,得混合物;

将所述混合物置于氮气氛围下烧结,得碳化硅陶瓷复合材料。

2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述合金粉中,包括以下重量百分比的组分:

铝75%-90%、镁5%-15%、硅2%-10%。

3.根据权利要求1所述的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述合金粉与所述网络互穿碳化硅骨架的重量比为(70-90):(10-30)。

4.根据权利要求1-3任一项所述的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述合金粉的颗粒粒径为200目-300目。

5.根据权利要求1-3任一项所述的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述烧结的工艺参数包括:烧结温度800℃-1200℃。

6.根据权利要求1-3任一项所述的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述烧结的工艺参数包括:保温时间为30min-120min。

7.根据权利要求1-3任一项所述的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述预氧化的工艺参数包括:温度800℃-1000℃。

8.根据权利要求1-3任一项所述的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述预氧化的工艺参数包括:时间为60-180min。

9.根据权利要求1-3任一项所述的碳化硅陶瓷复合材料的制备方法,其特征在于,所述网络互穿碳化硅骨架的孔径为10PPI-40PPI。

10.一种碳化硅陶瓷复合材料,其特征在于,由权利要求1-9任一项所述的制备方法制得。

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