[发明专利]基于超材料的带通滤波器单元及带通滤波器

权利要求书

1.一种基于超材料的带通滤波器单元，其特征在于，包括第一谐振器、第一介质层和第二谐振器；所述第一谐振器、所述第一介质层、所述第二谐振器依次层叠设置；所述第一谐振器沿厚度方向设置有第一矩形缺口，所述第一矩形缺口不超出所述第一谐振器的边缘位置，使所述第一介质层与所述第一谐振器相抵触的一面从所述第一矩形缺口裸露出来；所述第二谐振器沿厚度方向设置有第二矩形缺口，所述第二矩形缺口不超出所述第二谐振器的边缘位置，使所述第一介质层与所述第二谐振器相抵触的一面从所述第二矩形缺口裸露出来；所述第一谐振器与所述第二谐振器的结构完全相同。

2.根据权利要求1所述的带通滤波器单元，其特征在于，所述第一介质层层叠于所述第一谐振器与所述第二谐振器之间，所述第一谐振器与所述第二谐振器对应的边均平行设置。

3.根据权利要求2所述的带通滤波器单元，其特征在于，所述第一谐振器与所述第一矩形缺口对应的边均平行设置，所述第二谐振器与所述第二矩形缺口对应的边均平行设置。

4.根据权利要求3所述的带通滤波器单元，其特征在于，所述第一矩形缺口在所述第二谐振器上的投影、与所述第二矩形缺口完全重叠。

5.根据权利要求4所述的带通滤波器单元，其特征在于，所述第一谐振器在所述第二谐振器上的投影、与所述第二谐振器完全重叠。

6.根据权利要求5所述的带通滤波器单元，其特征在于，所述第一谐振器、所述第一介质层及所述第二谐振器均呈板状，且所述第一谐振器、所述第一介质层及所述第二谐振器的长宽对应相等。

7.根据权利要求1-6中任一项权利要求所述的带通滤波器单元，其特征在于，所述第一矩形缺口的长度范围为190纳米至194纳米，宽度范围为46纳米至50纳米，厚度为所述第一谐振器的厚度。

8.根据权利要求1-6中任一项权利要求所述的带通滤波器单元，其特征在于，所述第一谐振器的长度范围为355纳米至365纳米，宽度范围为140纳米至148纳米，厚度范围为20纳米至21.6纳米。

9.根据权利要求1-6中任一项权利要求所述的带通滤波器单元，其特征在于，所述带通滤波器单元还包括第二介质层及第三谐振器；所述第一谐振器、所述第一介质层、所述第二谐振器、所述第二介质层及所述第三谐振器依次层叠设置，所述第三谐振器、所述第一谐振器及所述第二谐振器的结构完全相同。

10.一种基于超材料的带通滤波器，其特征在于，包括权利要求1-9中任一项权利要求所述的带通滤波器单元，所述带通滤波器呈M*N阵列排布，其中，M≥1，N≥1。