[发明专利]一种等离子刻蚀清洗液、其制备方法和应用有效

专利信息
申请号: 201810130649.3 申请日: 2018-02-08
公开(公告)号: CN108375880B 公开(公告)日: 2021-11-19
发明(设计)人: 王溯;蒋闯 申请(专利权)人: 上海新阳半导体材料股份有限公司
主分类号: G03F7/42 分类号: G03F7/42
代理公司: 上海弼兴律师事务所 31283 代理人: 薛琦;袁红
地址: 201616 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 等离子 刻蚀 清洗 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种等离子刻蚀清洗液,其特征在于,其由下述原料制得,所述原料包含下列组分:分散剂、羟胺类化合物和/或其盐、有机溶剂、缓蚀剂、有机胺、环糊精改性烷撑二醇烷基醚化合物和水;所述环糊精改性烷撑二醇烷基醚化合物的质量百分含量为2%-4%;

所述分散剂的质量百分含量为0.01%-5%,所述羟胺类化合物和/或其盐的质量百分含量为0.05%-20%,所述有机溶剂的质量百分含量为10%-65%,所述缓蚀剂的质量百分含量为0.01%-10%,所述有机胺的质量百分含量为5%-40%;

所述的环糊精改性烷撑二醇烷基醚化合物的制备方法包括以下步骤:

(1)将烷撑二醇烷基醚化合物和马来酸酐进行反应得到物质A;

(2)将步骤(1)中得到的物质A、环糊精和对甲苯磺酸进行反应,即可;

所述步骤(1)中,所述反应在溶剂中进行,所述溶剂为芳烃类溶剂;

所述步骤(1)中,所述烷撑二醇烷基醚化合物和马来酸酐的摩尔比为1.01-1.05:1;

所述步骤(1)中,所述反应的温度为80℃-100℃;所述反应的时间为8-12小时;

所述步骤(2)中,物质A和环糊精的摩尔比为1:1.2~1.6;对甲苯磺酸的质量占物质A和环糊精总质量的0.01~1%;

所述步骤(2)中,所述反应在溶剂中进行,所述溶剂为芳烃类溶剂;

所述步骤(2)中,所述反应的温度为120℃-140℃;所述反应的时间为32-38小时。

2.如权利要求1所述的等离子刻蚀清洗液,其特征在于,

所述的原料不含有氟化物。

3.如权利要求2所述的等离子刻蚀清洗液,其特征在于,

所述分散剂的质量百分含量为2%-4%;

或,所述羟胺类化合物和/或其盐的质量百分含量为2.5%-15%;

或,所述有机溶剂的质量百分含量为30%-50%;

或,所述缓蚀剂的质量百分含量为0.5%-5%;

或,所述有机胺的质量百分含量为13%-25%。

4.如权利要求3所述的等离子刻蚀清洗液,其特征在于,

所述分散剂的质量百分含量为2.5%-3.5%;

或,所述羟胺类化合物和/或其盐的质量百分含量为3~10%;

或,所述有机溶剂的质量百分含量为35%~45%;

或,所述缓蚀剂的质量百分含量为1%~3%;

或,所述有机胺的质量百分含量为15%-20%;

或,所述环糊精改性烷撑二醇烷基醚化合物的质量百分含量为2.5%-3.5%。

5.如权利要求1-4任一项所述的等离子刻蚀清洗液,其特征在于,

所述的分散剂为聚羧酸类分散剂和/或有机膦类分散剂;所述聚羧酸类分散剂和所述的有机膦类分散剂各自独立地为非盐类分散剂;

或,所述的羟胺类化合物的结构为:其中R1和R2相同或不同,并各自独立地为H或C1~C4烷基;

或,所述的羟胺类化合物的盐的结构为:其中,R1和R2相同或不同,并各自独立地为H或C1~C4烷基,X为无机酸或有机酸;

或,所述的有机溶剂选自亚砜类溶剂、砜类溶剂、醚类溶剂、醇类溶剂、酰胺类溶剂、酮类溶剂和酯类溶剂中的一种或多种;

或,所述的缓蚀剂选自环己二胺四乙酸、苯并三氮唑、亚氨基四乙酸、尿素、柠檬酸、氨基磺酸、乙二胺四乙酸、苯腙类化合物、酮腙类化合物、双硫腙类化合物和卡巴腙类化合物中的一种或多种;

或,所述的有机胺选自单乙醇胺、二甘醇胺、异丙醇胺、三乙醇胺、六亚甲基四胺和五甲基二乙烯三胺中的一种或多种;

或,所述的环糊精选自α-环糊精、β-环糊精和γ-环糊精中的一种或多种;

或,所述的烷撑二醇烷基醚类化合物选自单烷撑二醇单烷基醚、二烷撑二醇单烷基醚和三烷撑二醇单烷基醚的一种或多种;

或,所述水为去离子水、蒸馏水、纯水和超纯水中的一种或多种。

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