[发明专利]针对被干扰行执行照顾操作的存储器装置及其操作方法

说明书

提供针对被干扰行执行照顾操作的存储器装置及其操作方法。一种存储器装置包括存储器单元阵列、刷新控制器以及控制逻辑。存储器单元阵列包括多个行。刷新控制器对所述多个行执行刷新操作。控制逻辑基于所述多个行在第一周期期间被访问的次数，控制对与第一行最邻近的第一邻近区域的照顾操作。控制逻辑还基于所述多个行在第二周期期间被访问的次数，控制对与第二行第二邻近的第二邻近区域的照顾操作。第一周期和第二周期是不同的周期。

于2017年5月24日提交的第10-2017-0064386号题为“针对被干扰行执行照顾操作的存储器装置及其操作方法”的韩国专利申请通过引用完整地包含于此。

技术领域

这里的一个或多个实施例涉及一种用于针对被干扰行执行照顾操作的存储器装置和用于操作存储器装置的方法。

背景技术

改进存储器装置的集成和速度仍是系统设计者的目标。在动态随机存取存储器(DRAM)中，应力被施加到与被访问越来越多次数的其他存储器单元邻近的存储器单元。该应力可降低邻近存储器单元的数据保持特性，并因此可负面影响整个DRAM的数据可靠性。

作为一个示例，当连接到特定字线的存储器单元以增长的频率被访问时，连接到与该特定字线邻近的字线的存储器单元的数据保持特性被降低。此外，当DRAM的大小减小时，存储器单元的访问频率也可增加。由于这个原因，经受负面的数据保持特性的存储器单元的数量可增大。

发明内容

根据一个或多个实施例，一种存储器装置，包括：存储器单元阵列，包括多个行；刷新控制器，用于对所述多个行执行刷新操作；控制逻辑，用于基于所述多个行在第一周期期间被访问的次数来控制对与第一行最邻近的第一邻近区域的照顾操作，并用于基于所述多个行在第二周期期间被访问的次数来控制对与第二行第二邻近的第二邻近区域的照顾操作，其中，第一周期与第二周期是不同周期。

根据一个或多个其他实施例，提供一种用于操作存储器装置的方法，所述存储器装置包括包含多个行和基于与第一行的邻近程度的第一邻近区域至第n邻近区域(其中，n为等于或大于2的整数)的存储器单元阵列。所述方法包括：对所述多个行的访问数量执行计数操作，以确定被集中访问的行；基于执行计数操作的条件从第一邻近区域至第n邻近区域中选择一个邻近区域；对选择的一个邻近区域中的一个或多个行执行照顾刷新操作。

根据一个或多个其他实施例，提供一种用于操作存储器装置的方法，所述存储器装置包括包含第一行至第m行(其中，m为等于或大于2的整数)的存储器单元阵列。所述方法包括：基于通过在第一周期期间对第一行至第m行中的每个行的访问数量进行计数而得到的结果，确定第h行；刷新与第h行邻近的行中的第h-1行和第h+1行；基于通过在第二周期期间对第一行至第m行中的每个行的访问数量进行计数而得到的结果，确定第i行；刷新与第i行邻近的行中的第i-2行和第i+2行。

附图说明

通过参考附图详细描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员而言将变得清楚，其中：

图1示出存储器系统的实施例；

图2A、图2B、图3A和图3B示出邻近行或区域的示例；

图4示出存储器装置的实施例；

图5A和图5B示出照顾操作(care operation)的周期(period)的实施例；

图6和图7示出用于操作存储器装置的方法的实施例；

图8示出刷新操作的实施例；

图9和图10示出访问数量确定器的实施例；

图11A和图11B示出访问数量确定器的其他实施例；

图12A和图12B示出刷新操作的其他实施例；

图13A至图13C示出照顾刷新操作的刷新周期的实施例；