[发明专利]一种基于增强型PHEMT的ESD保护电路

说明书

本发明涉及一种基于增强型PHEMT的ESD保护电路，包括ESD偏置电路和电阻，还包括两个串联连接的增强型PHEMT管T1和T2，所述T1的源极与T2的源极连接，所述T1的漏极连接到需要ESD电路保护的芯片焊盘上，所述T2的漏极接地，所述ESD偏置电路设置有两个，分别连接在所述T1的漏极和栅极之间和所述T2的栅极和漏极之间，所述T1的栅极和源极之间连接有电阻R1，所述T2的源极和栅极之间接电阻R2。本发明效果采用增强型PHEMT管背靠背串联连接组成ESD保护电路，可以降低负载电容，使得本发明适用于高频率电路，采用串联若干个二极管提供ESD偏置电压，可以提高ESD电路的导通电压，使得本发明适用于高输入功率的场合，而且可在芯片内部实现，实现成本低。

技术领域

本发明涉及ESD保护电路，尤其涉及一种基于增强型PHEMT的ESD保护电路。

背景技术

设计高频率、高功率的微波电路时，人们会经常采用砷化镓pHMET(英文为Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor，中

文为准高电子迁移率晶体管)器件，例如天线开关、低噪声放大器以及功率放大器等，但是pHMET器件本身的ESD性能很差，ESD(Electro-Static discharge静电释放)电压人体模式只有100-250V，所以在PHEMT芯片中需要增加ESD保护电路。目前pHMET的ESD保护电路基本上是外接的，实现成本高。即使有在芯片内部实现的ESD保护电路，也不适用高功率输入场合。本发明是针对高功率PHEMT电路，在芯片内部实现ESD保护，大大降低成本。本发明另一个特点是，电路本身电容很小，非常适合在高频率电路中使用。

通常的PHEMT芯片ESD保护电路都是外接电压钳位管或二极管，也有在芯片内部ESD保护电路，如图1所示，T1是个耗尽型的PHEMT管。

采用外接ESD保护电路的缺点是需要额外的元件和PCB布线，结构复杂，成本高。

采用内部耗尽型管子的ESD保护电路，不能适应高功率电路，而且自身寄生电容较大会影响高频信号。

发明内容

针对现有技术中的问题，本发明提供一种基于增强型PHEMT的ESD保护电路，是一种低成本，适用于高频率和高功率输入的ESD保护电路。

为解决以上问题，本发明的解决方案是一种基于增强型PHEMT的ESD保护电路，包括ESD偏置电路和电阻，还包括两个串联连接的增强型PHEMT管T1和T2，所述T1的源极与T2的源极连接，所述T1的漏极连接到需要ESD电路保护的芯片焊盘上，所述T2的漏极接地；

所述ESD偏置电路设置有两个，分别连接在所述T1的漏极和栅极之间和所述T2的栅极和漏极之间；

所述电阻有两个，分别为R1和R2，所述T1的栅极和源极之间连接有电阻R1，所述T2的源极和栅极之间接电阻R2。

作为优选，所述ESD偏置电路包括至少两个串联连接的二极管，最前端的二极管的P端与增强型PHEMT管的漏极连接，中段部分的二极管的N端连接相邻一个二极管的P端，最尾端的二极管的N端与增强型PHEMT管的栅极连接。

作为优选，所述ESD偏置电路设置有两个，其中一个ESD偏置电路为两个串联连接的二极管，分别为二极管D1和二极管D2，所述二极管D2的N端与T1的栅极连接，所述二极管D2的P端与二极管D1的N端连接，所述二极管D1的P端与T1的漏极连接；

所述另一个ESD偏置电路为两个串联连接的二极管，分别为二极管M1和二极管M2，所述二极管M1的N端与T2的栅极连接，所述二极管M1的P端与二极管M2的N端连接,所述二极管M2的P端与T2的漏极连接。