[发明专利]一种模拟复杂电磁环境的高压方波脉冲源在审
申请号: | 201810132010.9 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN108362964A | 公开(公告)日: | 2018-08-03 |
发明(设计)人: | 李昆;张海龙;戴弃君;寇科男;高昕;贾文静 | 申请(专利权)人: | 北京京航计算通讯研究所 |
主分类号: | G01R31/00 | 分类号: | G01R31/00;G01R1/28 |
代理公司: | 中国兵器工业集团公司专利中心 11011 | 代理人: | 周恒 |
地址: | 100074 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压方波脉冲 复杂电磁环境 强电磁脉冲 实验室环境 充电电阻 发生装置 峰值电压 高压开关 无线遥控 直流高压 储能 可用 限幅 元器件 带宽 电缆 测试 响应 | ||
本发明属于强电磁脉冲领域,具体涉及一种模拟复杂电磁环境的高压方波脉冲源。所述高压方波脉冲源包括:直流高压发生装置、充电电阻、储能电缆、高压开关K和无线遥控;与现有技术相比较,本发明通过实施上述技术方案,解决了在实验室环境中模拟产生电压高(100V~50000V)、上升时间快(小于1ns)、带宽宽(大于1000MHz)的高压方波脉冲信号,可用于进行元器件限幅响应时间和过冲峰值电压测试。
技术领域
本发明属于强电磁脉冲领域,具体涉及一种模拟复杂电磁环境的高压方波脉冲源。
背景技术
国际电工委员会(IEC)将入射电场场强>100V/M的环境称为强电磁环境。核电磁脉冲(NEMP)、雷电电磁脉冲(LEMP)和静电放电电磁脉冲(ESD EMP)等都属于强电磁脉冲,对电子系统具有很强的干扰和破坏作用,能使未加防护的导弹或卫星上的电子设备和地面指挥控制系统等设备受到严重的干扰,破坏电子计算机的程序,甚至使其丧失正常的工作能力。故研究强电磁脉冲对研究电子系统的干扰、破坏机理,并在此基础上研究有效地防护方法显得尤为重要。因现场实验有次数少、周期长和造价高等缺点,大量的实验研究需要在实验室内进行,这就需要建立产生强电磁脉冲的模拟装置。
针对现有试验条件需求建立的紧迫性,本发明专利技术采用高电压等级的单形成线方波脉冲源方案,产生具有丰富的高频成份及低频直流成分的高压方波脉冲信号,高压方波脉冲信号作为注入源能够获得系统的宽频率响应,可用来模拟快上升前沿的雷电冲击、静电放电、高能电磁干扰等复杂电磁环境。
发明内容
(一)要解决的技术问题
本发明要解决的技术问题是:如何提供一种模拟复杂电磁环境的高压方波脉冲源。
(二)技术方案
为解决上述技术问题,本发明提供一种模拟复杂电磁环境的高压方波脉冲源,所述高压方波脉冲源包括:直流高压发生装置1-1、充电电阻1-2、储能电缆1-3、高压开关K1-4和无线遥控1-5;
所述充电电阻1-2采用80MΩ~120MΩ的无感电阻,串联于电路中,起限流分压作用,保护试验设备;
所述储能电缆1-3采用具有抗干扰能力强、屏蔽效能好、耐压至少50000V、阻抗30Ω~70Ω的同轴射频线缆;
所述高压开关K1-4整体结构从进线端至出线端分为前端舱3-1、主舱3-2和后端舱3-3;高压开关采用全金属屏蔽外壳,屏蔽高压开关内外的电磁干扰,确保高压开关满足电磁兼容特性要求,同时确保高压方波脉冲源的方波输出的不确定度满足国军标指标要求。
其中,所述充电电阻1-2采用100MΩ的无感电阻。
其中,所述储能电缆1-3采用阻抗50Ω的同轴射频线缆。
其中,所述储能电缆1-3由外之内由外层绝缘层2-1、外导体2-2、绝缘层保护2-3和内导体2-4组成;
内导体2-4为铜线,外导体2-2为铜网,电磁场封闭在内外导体之间;
外层绝缘层2-1和绝缘层保护2-3的绝缘介质为聚四氟乙烯。
其中,所述前端舱3-1包括第一锥形金属屏蔽外壳3-1-1、锥形进线端3-1-2、第一螺钉密封槽3-1-3、第一密封支架3-1-4;
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