[发明专利]一种功率半导体模块过流检测电路的功能测试电路

权利要求书

1.一种功率半导体模块过流检测电路的功能测试电路，其特征在于：其包括定值电阻R1、R4，可变电阻R2、R3、R5，可变电阻R3的两端并联有二极管D1，二极管D1的阴极和可变电阻R3的一端并联后连接第一接入端，所述二极管D1的阳极和可变电阻R3的另一端并联后连接三极管Q3的基极，所述三极管Q3的集电极分别连接定值电阻R4的一端、MOS管Q4的栅极，所述三极管Q3的发射极和所述可变电阻R3的另一端之间设置有电容C1，所述MOS管Q4的源极连接可变电阻R5的一端，所述可变电阻R5的另一端连接和三极管Q3的发射极、电容C1相连接，所述可变电阻R2一端和MOS管Q4的漏极相连接，所述可变电阻R2的另一端和可变电阻R5的另一端相连接，所述可变电阻的一端还连接有定值电阻R1的一端，所述定值电阻的另一端和定值电阻R4的另一端连接后连接第二接入端，所述R2的另一端外接第一输出端，所述R2的一端外接第二输出端。

2.如权利要求1所述的一种功率半导体模块过流检测电路的功能测试电路，其特征在于：将半桥驱动电路中的一个驱动作为功能测试电路的驱动，HV1+和LV1-为驱动Q1的高低电压，芯片输出控制信号PWM1为驱动的信号接收端，驱动的高电压HV1+连接所述第二接入端，驱动的G1端连接第一接入端，将Vcesat检测电路的C1端和E1端分别接入第一输出端、第二输出端。

3.如权利要求1所述的一种功率半导体模块过流检测电路的功能测试电路，其特征在于：芯片输出控制信号PWM1为0时，G1电压等于HV1-，C1的电通过D1快速释放，Q3截止；Q4的G极电压被R4拉高至HV1+，Q4截止；C1端的输入电压为HV1+经R1和R2的分压值，调整R2的阻值可以调整该分压值；

PWM1为1时，G1电压等于HV1+，G1通过R3向C1充电，当C1电压达到Q3的导通门限时，Q3导通；Q4的G极电压被Q3拉至E1，Q4导通。C1端的输入电压为HV1+经R1、R2和R5的分压值，调整R5的阻值可以调整该分压值；

调整R3的阻值可以调整G1向C1充电的速度，从而调整G1变高与Q3导通的时间间隔。