[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

基底；

介电层，设置在该基底上且包含第一开口以及第二开口，该第二开口具有大于该第一开口的孔径；

第一钨层，设置于该第一开口与该第二开口内，并填满该第一开口；

第二钨层，设置在该第一钨层上，该第二钨层的结晶尺寸自该第二钨层的底面朝向顶面而逐渐增加；以及

介面层，设置于该第一钨层与该第二钨层之间，该介面层包含非晶钨。

2.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，位于该第一开口内的该第一钨层的结晶尺寸自该第一钨层的底面朝向顶面逐渐增加。

3.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该介面层还包含一含氮层。

4.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该介面层还包含一含氧层。

5.依据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

导电区域，设置在该基底内，该第一钨层直接接触该导电区域；以及

导电层，设置在该第二钨层上。

6.一种半导体装置，其特征在于，包含：

基底；

介电层，设置在该基底上且包含第一开口以及第二开口，该第二开口具有大于该第一开口的孔径；

第一钨层，填满该第一开口；

钨堆叠结构，设置在该第二开口内，该钨堆叠结构包含由下往上依序堆叠的该第一钨层、介面层以及第二钨层，该介面层包含非晶钨。

7.依据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该第二钨层的结晶尺寸自该第二钨层的底面朝向顶面而逐渐增加。

8.依据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该介面层还包含一含氮层。

9.依据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该介面层还包含一含氧层。

10.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包含：

在一基底上形成一介电层，该介电层内形成有一第一开口与一第二开口，该第二开口具有大于该第一开口的孔径；

形成一第一钨层，该第一钨层填满该第一开口并部分填满该第二开口；

进行一处理制作工艺，在该第一钨层上形成一介面层，该介面层包含非晶钨；以及

在该介面层上形成一第二钨层。

11.依据权利要求10所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该处理制作工艺包含：

提供一含氮气体或一含氮自由基至该第一钨层的一顶面。

12.依据权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该含氮气体是选自由氮气、一氧化氮、氧化亚氮、二氧化氮、氨气与二亚胺组成的群组，该含氮自由基是选自由氮自由基、一氧化氮自由基、氮氢自由基与胺基自由基组成的群组。

13.依据权利要求10所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该处理制作工艺包含：

提供一含氧气体或一含氧自由基至该第一钨层的一顶面。

14.依据权利要求13所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该含氧气体是选自由氧气、臭氧与一氧化氮组成的群组，该含氧自由基是选自由氧自由基与一氧化氮自由基组成的群组。

15.依据权利要求10所述的半导体装置的形成方法，其特征在于，该处理制作工艺包含：

使该基底的温度维持在摄氏300度至1000度之间。