[发明专利]用于确定容器中的介质的边界水平的填充水平开关和方法有效

专利信息
申请号: 201810134040.3 申请日: 2018-02-09
公开(公告)号: CN108458770B 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: T.康文特;R.施托赫 申请(专利权)人: 克洛纳测量技术有限公司
主分类号: G01F23/284 分类号: G01F23/284;H01Q1/22;H01Q1/36
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 宣力伟;李雪莹
地址: 德国杜*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 确定 容器 中的 介质 边界 水平 填充 开关 方法
【权利要求书】:

1.用于确定容器(4)中的介质(3)的边界水平的填充水平开关(1),所述填充水平开关带有至少一个传感器单元(5),其中所述传感器单元(5)具有至少一个天线单元(6)、用于保护传感器单元(5)和用于连接到容器壁(8)上的至少一个过程窗口(7)、至少一个电子器件单元(9)和至少一个传感器壳体(10),其中所述天线单元(6)具有用于发送第一电磁发送信号的至少一个第一辐射元件(11a)、至少一个供应线路(12)、至少一个具有参考电势的参考面(13)和至少一个介电层(14),其中所述介电层(14)布置在参考面(13)与辐射元件(11a)之间,

其特征在于,

所述天线单元(6)如此设计,使得辐射元件(11a)在运行时由供应线路(12)通过孔径耦合供应,其中所述参考面(13)具有作为针对电磁信号的通道的至少一个开口(16),并且第一辐射元件(11a)如此布置,使得其在运行时与介质(3)直接接触。

2.根据权利要求1所述的填充水平开关(1),其特征在于,所述辐射元件(11a)设计为平坦的天线面(11a)或设计为由至少两个平坦的天线面(11a)构成的阵列。

3.根据权利要求1或2中任一项所述的填充水平开关(1),其特征在于,在参考面(13)与辐射元件(11a)之间布置的介电层(14)设计为过程窗口(7)。

4.根据权利要求3所述的填充水平开关(1),其特征在于,所述过程窗口(7)对于电磁发送信号的频率来说是可穿透的,并且/或者所述过程窗口(7)至少部分由塑料、玻璃或陶瓷构成。

5.根据权利要求1或2所述的填充水平开关(1),其特征在于,所述传感器壳体(10)的一部分设计为参考面(13),其中所述传感器壳体(10)在参考面(13)的区域中具有作为针对电磁信号的通道的至少一个开口(16)。

6.根据权利要求1或2所述的填充水平开关(1),其特征在于,所述传感器壳体(10)具有限定的地电势。

7.根据权利要求3所述的填充水平开关(1),其特征在于,所述天线单元(6)具有至少一个第二辐射元件(11b),用以发送第二电磁发送信号,其中第一和第二辐射元件(11a、11b)没有布置在一个平面中。

8.根据权利要求7所述的填充水平开关(1),其特征在于,所述第二辐射元件(11b)平行于第一辐射元件(11a)布置。

9.根据权利要求7或8中任一项所述的填充水平开关(1),其特征在于,所述第二辐射元件(11b)布置在过程窗口(7)与参考面(13)之间。

10.根据权利要求7或8所述的填充水平开关(1),其特征在于,所述第一辐射元件(11a)和第二辐射元件(11b)具有不同的大小和/或不同的形状。

11.根据权利要求1 或2所述的填充水平开关(1),其特征在于,所述参考面(13)的开口(16)缝隙形地或哑铃形地或T形地设计。

12.根据权利要求1或2所述的填充水平开关(1),其特征在于,所述供应线路(12)T形地或哑铃形地设计。

13.根据权利要求7或8所述的填充水平开关(1),其特征在于,所述天线单元(6)如此设计,使得第一辐射元件(11a)和第二辐射元件(11b)通过孔径耦合供应。

14.根据权利要求4所述的填充水平开关(1),其特征在于,所述过程窗口(7)至少部分由PEEK或PTFE构成。

15.根据权利要求7所述的填充水平开关(1),其特征在于,所述天线单元(6)具有至少一个平坦的第二天线面(11b)。

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