[发明专利]具有单通带和双侧吸收频带的超材料

权利要求书

1.一种具有单通带和双侧吸收频带的超材料，包含若干个单元结构，其特征在于，单元结构呈阵列排列且位于同一平面，单元结构向x、y方向进行周期延拓，单元结构包括：

位于底层的金属滤波层，厚度为：t_金属2；

位于中间层的正方形介质层，厚度为t_介质；

位于表层的金属耦合层，厚度为t_金属1；

所述金属耦合层包括同圆心的金属圆盘和若干个金属开口圆环，金属滤波层由一个金属圆盘组成，金属滤波层的圆盘和金属耦合层的圆盘、金属开口圆环都是同圆心的，并且此圆心和正方形介质层的中心点是重合的；

金属耦合层中设有4个金属开口圆环，每个金属开口圆环设有4个开口，开口宽度相同，所有金属开口圆环的开口组成一个十字的形状；

正方形介质层的厚度为0.8～1.2mm；金属耦合层的厚度t_金属1为17～35μm，金属滤波层的厚度t_金属2为17～35μm；正方形介质层的边长P为20～25mm；金属滤波层的金属圆盘半径R为9.85～12.3mm；

金属耦合层的圆盘半径和开口圆环的内外半径的取值范围是r₁＝0.8～1.3mm，r₂＝1.5～2.4mm，r₃＝2.5～3.5mm，r₄＝3.4～4.5mm，r₅＝4.4～5.5mm，r₆＝5.3～6.4mm，r₇＝6.3～7.3mm，r₈＝7.1～8.2mm，r₉＝8～9.1mm，r₁＜r₂＜r₃＜r₄＜r₅＜r₆＜r₇＜r₈＜r₈，圆环开口的大小g＝0.4～0.6mm。

2.根据权利要求1所述的具有单通带和双侧吸收频带的超材料，其特征在于，金属耦合层中的最外部开口圆环的外直径小于正方形介质层的边长。

3.根据权利要求1所述的具有单通带和双侧吸收频带的超材料，其特征在于，金属耦合层中的金属圆盘的半径小于所有金属开口圆环的半径。

4.根据权利要求1所述的具有单通带和双侧吸收频带的超材料，其特征在于，金属滤波层中的金属圆盘的直径大于金属耦合层中的最外圈金属开口圆环的外直径，并且小于正方形介质层的边长。

5.根据权利要求1-4任一所述的具有单通带和双侧吸收频带的超材料，其特征在于，超材料应用于雷达系统中的天线罩。