[发明专利]有机发光显示设备在审
| 申请号： | 201810134401.4 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108417601A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 郑镇九;金建熙;金庆昊;金星民;南恩景;崔千基 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 康泉;宋志强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 绝缘层 基板 有机发光显示设备 有机发光元件 有机发光层 发射区域 通孔 非发射区域 第一电极 有机绝缘材料 第二电极 限定开口 发射光 开口 | ||
1.一种有机发光显示设备，包括：
基板，包括在其中发射光的发射区域和在其中不发射光的非发射区域；
有机发光元件，用于发射光，所述有机发光元件包括：
第一电极，在所述基板的所述发射区域中设置在所述基板上；
有机发光层，在所述发射区域中设置在所述第一电极上；及
第二电极，设置在所述有机发光层上；以及
通孔绝缘层，在所述基板的所述非发射区域中设置在所述基板上，所述通孔绝缘层包括有机绝缘材料，
其中所述通孔绝缘层在其中限定开口，在所述开口中设置有所述有机发光元件的所述有机发光层。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，其中
所述通孔绝缘层的顶表面距所述基板的最大高度大于所述第一电极的中心部分的底表面距所述基板的高度。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括：
晶体管，在所述基板的所述发射区域中连接到所述有机发光元件，所述晶体管在所述基板的所述非发射区域中设置在所述基板上。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括：
钝化层，包括无机绝缘材料，其中所述通孔绝缘层位于所述钝化层与所述基板之间，
其中在所述通孔绝缘层中的所述开口处，所述钝化层沿着所述通孔绝缘层的顶表面和侧壁延伸。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示设备，其中
所述钝化层仅设置在所述非发射区域中。
6.根据权利要求4所述的有机发光显示设备，其中
所述钝化层设置在所述非发射区域和所述发射区域中。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示设备，进一步包括：
钝化层，设置在所述基板与所述通孔绝缘层之间，所述钝化层包括无机绝缘材料。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示设备，其中
所述钝化层仅设置在所述非发射区域中。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示设备，其中
所述钝化层设置在所述非发射区域和所述发射区域中。
10.一种有机发光显示设备，包括：
基板；
多个子像素，设置在所述基板上，所述多个子像素各自包括用于发射光的有机发光元件；以及
通孔绝缘层，在包括所述有机发光元件的所述子像素中的每个子像素中设置在所述基板上，所述通孔绝缘层包括有机绝缘材料，
其中所述通孔绝缘层在其中限定开口，在所述开口中设置有所述多个子像素中的至少一个子像素的所述有机发光元件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
