[发明专利]一种无残留的硅胶保护膜及其制备方法

说明书

本发明公开一种无残留的硅胶保护膜及其制备方法，制备方法包括步骤：A、将树脂、胶态二氧化硅、添加剂进行混合得到混合液；B、在基材上涂布步骤A得到的混合液；C、对基材进行干燥处理，并贴合硅胶离型膜得到无残留的硅胶保护膜。通过本发明的制备方法，硅胶保护膜上不会残留物质，特别是黏着剂不会在附着物上残留任何物质，并且即使温度变化其粘着力也可以很好的保持，在高温高湿的环境里面残留物质也很少。

技术领域

本发明涉及化工领域，尤其涉及一种无残留的硅胶保护膜及其制备方法。

背景技术

现有技术中，胶带经常会在附着物上残留，例如以硅胶保护膜为例，在附着物上面剥离硅胶保护膜时便会产生残留异物，这些残留异物对于后续的加工工程会造成污染，导致外观不良，更严重的话，可能导致产品不合格。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种无残留的硅胶保护膜及其制备方法，旨在解决现有技术中容易残留的问题。

本发明的技术方案如下：

一种无残留的硅胶保护膜的制备方法，其中，包括步骤：

A、将树脂、胶态二氧化硅和添加剂进行混合得到混合液；

B、在基材上涂布步骤A得到的混合液；

C、对基材进行干燥处理，并贴合硅胶离型膜得到无残留的硅胶保护膜。

所述的无残留的硅胶保护膜的制备方法，其中，所述树脂包括亚克力黏着树脂、聚氨酯树脂、橡胶树脂、硅胶黏着树脂中的一种或几种。

所述的无残留的硅胶保护膜的制备方法，其中，所述胶态二氧化硅采用丁酮进行溶解。

所述的无残留的硅胶保护膜的制备方法，其中，所述添加剂包括固化剂和黏着剂。

所述的无残留的硅胶保护膜的制备方法，其中，所述固化剂为异氰酸盐，所述黏着剂为硅烷偶联剂。

所述的无残留的硅胶保护膜的制备方法，其中，所述添加剂还包括交联剂，所述交联剂为有机过氧化物。

所述的无残留的硅胶保护膜的制备方法，其中，所述添加剂还包括触媒。

所述的无残留的硅胶保护膜的制备方法，其中，所述触媒为有机金属触媒。

所述的无残留的硅胶保护膜的制备方法，其中，所述步骤A中，通过搅拌方式进行混合，搅拌时间为20min。

一种无残留的硅胶保护膜，其中，采用如上任一项所述的制备方法制成。

有益效果：通过本发明的制备方法，硅胶保护膜上不会残留物质，特别是黏着剂不会在附着物上有任何残留，并且即使温度变化其粘着力也可以很好的保持，在高温高湿的环境里面残留物质也很少。

具体实施方式

本发明提供一种无残留的硅胶保护膜及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

本发明所提供的一种无残留的硅胶保护膜的制备方法，其包括步骤：

S1、将树脂、胶态二氧化硅、添加剂进行混合得到混合液；

S2、在基材上涂布步骤S1得到的混合液；

S3、对基材进行干燥处理，并贴合硅胶离型膜得到无残留的硅胶保护膜。