[发明专利]一种基于n-VO2/p-NiO的异质结构及制备方法

权利要求书

1.一种基于n-VO₂/p-NiO的异质结构，其特征在于，从上层到下层依次包括TiN薄膜、第一AZO透明导电薄膜、VO₂薄膜、p-NiO薄膜、第二AZO透明导电薄膜以及柔性不锈钢衬底。

2.根据权利要求1所述异质结构，其特征在于，所述p-NiO薄膜为缓冲层，TiN薄膜为保护层，第一AZO透明导电薄膜和第二AZO透明导电薄膜均作为导电电极和减缓层。

3.一种基于n-VO₂/p-NiO的异质结构的制备方法，其特征在于，

在柔性不锈钢衬底上依次制备第二AZO透明导电薄膜、p-NiO薄膜、VO₂薄膜、第一AZO透明导电薄膜和TiN薄膜。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，制备第二AZO透明导电薄膜，将柔性不锈钢基片依次采用乙醇、去离子水进行超声波清洗，采用乙醇超声清洗时间为5分钟，去离子水超声波清洗时间5分钟，采用氮气吹干送入磁控溅射反应室，在1.0×10^-3Pa真空的条件下，以氩气和氧气作为混合气体反应源，其氩气和氧气流量比8:1-10：1，以氧化锌掺杂铝为靶材，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为200℃～400℃，制备时间为60分钟～80分钟，得到柔性不锈钢基片/第二AZO透明导电薄膜。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射反应室在柔性不锈钢基片/第二AZO透明导电薄膜上制备p-NiO薄膜，在1.0×10^-3Pa真空的条件下，以氧气作为气体反应源，氧气流量为80sccm～120sccm，以氧化镍为靶材，反应溅射氧化镍靶材的纯度为99.9％，制备温度为200℃～400℃，制备时间30分钟～180分钟，得到柔性不锈钢基片/第二AZO透明导电薄膜/p-NiO薄膜。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射反应室在柔性不锈钢基片/第二AZO透明导电薄膜/p-NiO薄膜材料上制备VO₂薄膜材料，在1.0×10^-3Pa真空的条件下，制备VO₂薄膜材料，以氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气和氧气流量比8:1-10：1，以二氧化钒为靶材，反应溅射二氧化钒靶材的纯度为99.9％，制备温度为100℃～300℃，制备时间为200分钟-250分钟，得到柔性不锈钢基片/第二AZO透明导电薄膜/p-NiO薄膜/VO₂薄膜。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射反应室在柔性不锈钢基片/第二AZO透明导电薄膜/p-NiO薄膜/VO₂薄膜上制备第一AZO透明导电薄膜，以氩气和氧气作为混合气体反应源，氩气和氧气流量比5:1～8:1，以氧化锌掺杂铝为靶材，反应溅射氧化锌掺杂铝靶材的纯度为99.9％，制备温度为100℃～300℃，制备时间为30分钟～50分钟，得到柔性不锈钢基片/第二AZO透明导电薄膜/p-NiO薄膜/VO₂薄膜/第一AZO透明导电薄膜。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射反应室在柔性不锈钢基片/第二AZO透明导电薄膜/p-NiO薄膜/VO₂薄膜/第一AZO透明导电薄膜上制备TiN抗腐蚀保护涂层，以氮气作为气体反应源，氮气流量为30～80sccm，以氮化钛为靶材，反应溅射氮化钛靶材的纯度为99.99％，制备温度为100℃～400℃，制备时间为20分钟～30分钟，得到柔性不锈钢基片/第二AZO透明导电薄膜/p-NiO薄膜/VO₂薄膜/第一AZO透明导电薄膜/TiN薄膜。