[发明专利]一种包覆型羧基化SiO2

权利要求书

1.一种包覆型羧基化SiO₂荧光纳米球的制备方法，是先以具有双键的烯丙基荧光探针、甲基丙烯酸与硅烷偶联剂KH151为原料，聚合反应得到荧光聚合物，再通过化学键作用，将其接枝在SiO₂纳米球的表面，以制备得到包覆型羧基化SiO₂荧光纳米球，具体是采用下述方法制备：

1)、取水、无水乙醇和氨水混和均匀，加入正硅酸乙酯，室温下进行搅拌反应，反应产物以水和无水乙醇洗涤、干燥，得到SiO₂纳米球；

2)、将烯丙基荧光探针、硅烷偶联剂KH151、甲基丙烯酸和偶氮二异丁腈加入无水甲醇中，惰性保护下进行加热回流反应，蒸除溶剂甲醇后得到羧基化的烯丙基荧光探针-KH151聚合物；

3)、在无水甲苯中加入SiO₂纳米球和羧基化的烯丙基荧光探针-KH151聚合物，惰性保护下进行加热回流反应，制备得到包覆型羧基化SiO₂荧光纳米球。

2.根据权利要求1所述的包覆型羧基化SiO₂荧光纳米球的制备方法，其特征是所述的烯丙基荧光探针是烯丙基-4-甲基香豆素、烯丙基荧光素、烯丙基罗丹明B、烯丙基咔唑中的任意一种。

3.根据权利要求1所述的包覆型羧基化SiO₂荧光纳米球的制备方法，其特征是所述水、无水乙醇、氨水与正硅酸乙酯的体积比为6～7∶15～16.5∶1.6～1.8∶1。

4.根据权利要求1所述的包覆型羧基化SiO₂荧光纳米球的制备方法，其特征是所述步骤1)中，是在室温下搅拌反应0.5～3h。

5.根据权利要求1所述的包覆型羧基化SiO₂荧光纳米球的制备方法，其特征是所述硅烷偶联剂KH151、偶氮二异丁腈、烯丙基荧光探针、甲基丙烯酸的质量比为1∶0.4～0.7∶0.8～1.8∶1～2。

6.根据权利要求1所述的包覆型羧基化SiO₂荧光纳米球的制备方法，其特征是所述步骤2)中，是在65～70℃回流反应6～8h。

7.根据权利要求1所述的包覆型羧基化SiO₂荧光纳米球的制备方法，其特征是以过量的羧基化的烯丙基荧光探针-KH151聚合物与SiO₂纳米球在105～115℃下回流反应20～24h。