[发明专利]一种纳米结构钼酸钴电极材料的制备方法

权利要求书

1.一种纳米结构钼酸钴电极材料的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

1)将钼源和钴源加入甘油醇溶液中，混合均匀后得混合物料；所述钼源和钴源的质量比为1︰(1～3)；所述甘油醇溶液的质量百分比为6％～18％；所述甘油醇溶液中的醇选自甲醇、乙醇、异丙醇、乙二醇中的至少一种；

2)将步骤1)得到的混合物料，调节pH值至7～12，转入至密闭反应器中反应，自然冷却至常温，分离提纯后得到预产物；所述反应的温度为100～250℃，反应的时间为3～48h；

3)将步骤2)所得到的预产物干燥，煅烧后即得纳米结构钼酸钴电极材料；所述干燥是在60～80℃下真空干燥12h；所述煅烧置于空气气氛中，500～800℃下煅烧3～4h。

2.如权利要求1所述一种纳米结构钼酸钴电极材料的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述钼源采用钼盐。

3.如权利要求2所述一种纳米结构钼酸钴电极材料的制备方法，其特征在于所述钼盐选自乙酰丙酮钼、硝酸钼、氯化钼、钼酸铵、钼酸钠中的至少一种。

4.如权利要求1所述一种纳米结构钼酸钴电极材料的制备方法，其特征在于在步骤1)中，所述钴源采用三价钴盐。

5.如权利要求4所述一种纳米结构钼酸钴电极材料的制备方法，其特征在于所述三价钴盐选自乙酰丙酮钴、硝酸钴、氯化钴中的至少一种。

6.如权利要求1所述一种纳米结构钼酸钴电极材料的制备方法所制备的纳米结构钼酸钴电极材料作为负极材料在锂离子电池中应用。