[发明专利]一种碳包覆微米硅、其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810135903.9 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108269989B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 霍开富;高标;项奔;安威力;付继江 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 武汉东喻专利代理事务所(普通合伙) 42224 | 代理人： | 纪元 |
| 地址： | 430081 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳包覆 微米 制备 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种碳包覆微米硅的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)以硅化镁为原料，在含有二氧化碳的气氛中于400～800℃发生反应2～24小时，得到含有氧化镁和碳包覆的硅的粗产物；所述含有二氧化碳的气氛为二氧化碳气氛或二氧化碳与惰性气体的混合气氛；所述含有二氧化碳的气氛中气体的流速为30ml/min～100ml/min，所述气氛中二氧化碳的体积浓度不低于10％；所述硅化镁原料置于相向放置的U型套管中，以增加二氧化碳的停留时间；所述U型套管为两个，且所述U型套管的开口端向内，闭口端向外；
(2)将步骤(1)所述粗产物进行酸洗处理，以除去氧化镁和残余的硅化镁原料，得到碳包覆的三维贯通多孔微米硅。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述硅化镁的粒径为0.2～10微米。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述硅化镁原料按照如下方法获得：将商业硅颗粒与镁粉按照质量比1:1.5～2混合，在惰性气体保护下于400～700℃，反应4～12小时，得到的产物冷却后进行球磨得到所述硅化镁原料。
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