[发明专利]半导体元件的驱动装置有效

专利信息
申请号: 201810136035.6 申请日: 2018-02-09
公开(公告)号: CN108631559B 公开(公告)日: 2022-02-25
发明(设计)人: 寺岛健史 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H03K17/082;H03K17/567
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 元件 驱动 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体元件的驱动装置,具有驱动电路且具备保护电路,所述驱动电路从外部被输入对半导体元件的驱动能力进行规定的脉冲状的驱动信号来对所述半导体元件进行接通断开驱动,所述保护电路对所述半导体元件的芯片温度进行检测,在检测出的芯片温度超过过热阈值温度时对所述驱动电路的动作进行控制来切换所述半导体元件的驱动能力,所述半导体元件的驱动装置的特征在于,

所述保护电路还具备驱动信息输出电路,该驱动信息输出电路将电压水平与所述驱动电路对所述半导体元件提供的驱动控制电压相应的驱动信息输出到外部,

所述驱动信息输出电路除了具备根据所述驱动控制电压来控制所述驱动信息的电压水平的电压水平控制电路以外,还具备生成脉宽与所述驱动控制电压相应的脉冲信号并将该脉冲信号输出到外部的脉宽生成电路。

2.根据权利要求1所述的半导体元件的驱动装置,其特征在于,

所述脉宽生成电路生成如下的脉冲信号来作为驱动信息输出信号:该脉冲信号的脉宽与所述驱动信息的电压水平之积成为表示所述半导体元件的驱动能力的信息,所述脉宽表示所述半导体元件的接通宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体元件的驱动装置,其特征在于,

所述半导体元件是IGBT,所述半导体元件的驱动能力的切换是根据所述IGBT的芯片温度切换针对该IGBT的栅极的充电电流来进行的。

4.根据权利要求1所述的半导体元件的驱动装置,其特征在于,

所述保护电路根据所述半导体元件的芯片温度来变更对所述半导体元件施加的栅极电压,从而切换该半导体元件的驱动能力,

所述保护电路具备显示器,该显示器的显示方式根据对所述半导体元件施加的栅极电压来变更。

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