[发明专利]显示基板和显示装置有效
申请号: | 201810136086.9 | 申请日: | 2018-02-09 |
公开(公告)号: | CN108364986B | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 张正元;王涛;李明伟;随鹏;祝道成;郑友;柴双双;袁佳伟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 姜春咸;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板,所述显示基板被划分为显示区、绑定区、间隔区和边缘区,所述绑定区位于所述显示区的一侧,所述间隔区位于所述绑定区与所述显示区之间,所述边缘区位于所述绑定区背离所述显示区的一侧,所述绑定区在预定方向上的尺寸等于绑定工艺所用的本压头在所述预定方向上的尺寸,所述预定方向为所述显示区与绑定区的排列方向;所述绑定区中设置有电连接至所述显示区的绑定电极,且所述绑定电极延伸至所述边缘区,所述绑定电极在所述预定方向上的尺寸不小于所述本压头在所述预定方向上的尺寸。相应地,本发明还提供一种显示装置,本发明能够在实现窄边框的同时,减少覆晶薄膜的信号线的断裂现象。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体涉及一种显示基板和显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Device,OLED)具有主动发光、温度特性好、功耗小、响应快、视角宽、超轻薄和成本低等优点,已广泛应用于显示装置中。
在有机电致发光显示装置中,显示基板包括显示区和位于显示区一侧的绑定(bonding)区,绑定区设置有用于绑定覆晶薄膜(Chip On Flex,or,Chip On Film,COF)的绑定电极,目前常采用的绑定方式为:柔性线路板的一端与绑定电极绑定,另一端延伸至显示基板外部,之后,将覆晶薄膜朝向显示基板的背离出光方向的一侧弯折。这种方式容易导致覆晶薄膜弯折部分占用一部分边框宽度,从而不利于产品窄边框的实现。而如果在绑定时,将覆晶薄膜的一端与绑定电极绑定,另一端朝向显示基板所在区域内部延伸,虽然可以减小窄边框,但容易导致覆晶薄膜上的信号线发生断裂。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种显示基板和显示装置,以在实现窄边框的同时,减少覆晶薄膜上信号线的断裂。
为了解决上述技术问题之一,本发明提供一种显示基板,所述显示基板被划分为显示区、绑定区、间隔区和边缘区,所述绑定区位于所述显示区的一侧,所述间隔区位于所述绑定区与所述显示区之间,所述边缘区位于所述绑定区背离所述显示区的一侧,所述绑定区在预定方向上的尺寸等于绑定工艺所用的本压头在所述预定方向上的尺寸,所述预定方向为所述显示区与绑定区的排列方向;
所述绑定区中设置有电连接至所述显示区的绑定电极,且所述绑定电极延伸至所述边缘区,所述绑定电极在所述预定方向上的尺寸不小于所述本压头在所述预定方向上的尺寸。
优选地,所述绑定电极靠近所述显示区的一端与所述绑定区靠近所述显示区的边缘对齐,所述绑定电极延伸至所述边缘区的部分在所述预定方向上的尺寸在180μm~220μm之间。
优选地,所述绑定区在所述预定方向上的尺寸在950μm~1050μm之间;
所述间隔区在所述预定方向上的尺寸在480μm~520μm之间。
优选地,所述绑定区还设置有第一对位标记;所述绑定电极远离显示区的一端与所述第一对位标记在所述预定方向上的距离在200μm~220μm之间。
优选地,所述边缘区在所述预定方向上的尺寸在480μm~520μm之间。
相应地,本发明还提供一种显示装置,包括显示基板和与所述显示基板相连的覆晶薄膜,其特征在于,所述显示基板为本发明提供的上述显示基板;所述覆晶薄膜包括导电部,所述导电部与所述绑定电极压合,且所述导电部在所述显示基板上的正投影至少覆盖所述绑定电极延伸至所述边缘区的部分。
优选地,所述显示基板还包括位于所述绑定区的第一对位标记,所述第一对位标记包括第一横向条和位于所述第一横向条一侧的第一纵向条,所述第一纵向条与所述第一横向条相连;
所述覆晶薄膜还包括第二对位标记,所述第二对位标记包括第二横向条和位于所述第二横向条一侧的第二纵向条,所述第二横向条与所述第二纵向条相连;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的