[发明专利]一种磁隔离型带负电压偏置的多路同步触发电路在审
| 申请号： | 201810136397.5 | 申请日： | 2018-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN108365743A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 饶俊峰;刘昊天;姜松;李孜 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | H02M1/088 | 分类号： | H02M1/088;H02M7/537 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 赵志远 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁隔离 同步触发电路 负电压 多路 偏置 驱动控制模块 原边驱动电路 半导体开关 被控 副边 变压器 同步驱动信号 正负双极性 时序 副边线圈 脉冲信号 驱动效率 原边线圈 驱动 | ||
1.一种磁隔离型带负电压偏置的多路同步触发电路，其特征在于，该多路同步触发电路包括用以产生正负双极性脉冲信号的原边驱动电路、磁隔离变压器、副边驱动控制模块(4)和多个被控半导体开关(5)，所述的磁隔离变压器的原边线圈与原边驱动电路连接，副边线圈分别通过多个副边驱动控制模块(4)产生不同时序的同步驱动信号，用以驱动被控半导体开关(5)。
2.根据权利要求1所述的一种磁隔离型带负电压偏置的多路同步触发电路，其特征在于，所述的原边驱动电路为逆变电路(2)，包括半桥逆变电路。
3.根据权利要求1所述的一种磁隔离型带负电压偏置的多路同步触发电路，其特征在于，所述的磁隔离变压器工作在升压模式，用以提高副边线圈的电压值。
4.根据权利要求1所述的一种磁隔离型带负电压偏置的多路同步触发电路，其特征在于，所述的被控半导体开关(5)为Marx发生器半导体开关。
5.根据权利要求1所述的一种磁隔离型带负电压偏置的多路同步触发电路，其特征在于，所述的副边驱动控制模块(4)为多个结构相同但延时不同的驱动电路。
6.根据权利要求5所述的一种磁隔离型带负电压偏置的多路同步触发电路，其特征在于，所述的副边驱动控制模块(4)包括第一MOSFET管(M1)、第二MOSFET管(M2)、微分电路(15)和三极管(Q1)，所述的微分电路(15)包括电容(C1)和第一电阻(R1)，所述的第一MOSFET管(M1)的源极与副边线圈一端连接，门极与副边线圈另一端连接，漏极依次通过电容(C1)和第一电阻(R1)与三极管(Q1)的基极连接，所述的第二MOSFET管(M2)的源极与副边线圈另一端连接，门极与第一MOSFET管(M1)的漏极连接，漏极与三极管(Q1)的发射极连接，所述的三极管(Q1)的集电极通过第二电阻(R2)与第一MOSFET管(M1)的漏极连接，所述的被控半导体开关(5)的基极与三极管(Q1)的集电极连接，所述的三极管(Q1)的发射极与被控半导体开关(5)的集电极连接。
7.根据权利要求6所述的一种磁隔离型带负电压偏置的多路同步触发电路，其特征在于，所述的副边驱动控制模块(4)还包括连接在三极管(Q1)基极和发射极之间的第三电阻(R3)。
8.根据权利要求6所述的一种磁隔离型带负电压偏置的多路同步触发电路，其特征在于，所述的副边驱动控制模块(4)的延时时间由电容(C1)和第一电阻(R1)设置。
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