[发明专利]一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法

权利要求书

1.一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法，其特征在于一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法按照以下步骤进行：

一、将绝缘体、半导体与导体按照每层从上到下的顺序制备成导体-绝缘体-半导体的结构，其中半导体的掺杂浓度为1E14/cm³～1E17/cm³；常温条件下，绝缘体的电阻率不小于1E12Ω·cm，导体的电阻率不大于1E-4Ω·cm；

二、导体-绝缘体-半导体中导体、绝缘体和半导体的厚度分别为a₁、a₂和a₃，其中，a₂≤1/5a₃，a₂≥10a₁；

三、确定导体-绝缘体-半导体中每层导体、绝缘体及半导体的组分、成份、密度及化学式，通过Geant4软件，计算不同能量入射粒子I在导体-绝缘体-半导体中的入射深度d₁，且d₁＞a₁；

四、根据步骤三中不同能量入射粒子I的能量，通过Geant4软件计算单位注量的入射粒子I在绝缘体内的电离吸收剂量和位移吸收剂量，其中I_d1表示电离吸收剂量，D_d1表示位移吸收剂量；

计算log[(I_d1+D_d1)/D_d1]；

五、若入射粒子I在绝缘体内log[(I_d1+D_d1)/D_d1]5，需要返回到步骤三，重新选择粒子种类或能量，继续计算；

若入射粒子I在绝缘体内log[(I_d1+D_d1)/D_d1]≥5，则能量下的入射粒子I会在绝缘体中产生稳定的电离缺陷；进行步骤六；

六、通过Geant4软件，计算不同能量入射粒子II在导体-绝缘体-半导体结构中的入射深度d₂，且d₂＞a₁+a₂；

根据不同能量入射粒子II的能量，通过Geant4软件计算单位注量的入射粒子II在半导体内的电离吸收剂量和位移吸收剂量，其中I_d2表示电离吸收剂量，D_d2表示位移吸收剂量；

七、计算log[(I_d2+D_d2)/D_d2]；

若入射粒子II在绝缘体内3log[(I_d2+D_d2)/D_d2]，则需要返回到步骤六，重新选择粒子种类或能量，继续计算；

若入射粒子II在半导体内log[(I_d2+D_d2)/D_d2]≤3，则能量下的入射粒子I会在半导体中产生稳定的位移缺陷；即完成电离缺陷和位移缺陷的间接交互作用研究。

2.根据权利要求1所述一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法，其特征在于步骤一中所述的导体为金属。

3.根据权利要求1所述一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法，其特征在于步骤一中所述的导体为金、银、铂或铝。

4.根据权利要求1所述一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法，其特征在于步骤一中所述的绝缘体为SiO₂。

5.根据权利要求1所述一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法，其特征在于步骤一中所述的半导体为N型的Si或P型的Si。

6.根据权利要求1所述一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法，其特征在于步骤三中所述入射粒子I为电子、质子、重离子、中子、光子或介子。

7.根据权利要求1所述一种研究电离缺陷和位移缺陷间接交互作用的试验方法，其特征在于步骤六中所述入射粒子II为电子、质子、重离子、中子、光子或介子。